据南京经济技术开发区消息，丹佛斯半导体功率模块项目目前主体已封顶，正在进行钢结构屋面、室内填充墙施工。
据介绍，该项目总建筑面积约6万平方米，主要建设半导体功率模块、电机及电驱动产品生产厂房和研发测试中心，建成后，预计可年产IGBT功率模块250万件、电机及电驱动产品10万套。
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