高意集团在宾夕法尼亚州和瑞典大规模扩建工厂，加速投资碳化硅衬底和外延晶圆制造

• 详细说明了之前宣布的未来10年对碳化硅（SiC）的10亿美元投资
  
• 宾夕法尼亚州高意工厂的150毫米和200毫米SiC基片年产量到2027年将达到相当于100万个150毫米的单位
  
• 宾夕法尼亚州和瑞典的工厂将显著扩大150毫米和200毫米SiC外延片的产能
  

3月7日，宽带隙半导体的领导者高意集团（纳斯达克代码：IIVI）宣布，它正在加快对150毫米和200毫米碳化硅（SiC）基片和外延片生产的投资，在宾夕法尼亚州的Easton和瑞典的Kista进行大规模的工厂扩建。这是该公司先前宣布的在未来10年内对碳化硅投资10亿美元的一部分。

全球对能源消费去碳化的紧迫性正在加速 "万物电气化"，并随着SiC的采用，推动了电力电子技术的巨变。SiC是一种宽带隙材料，与基于硅的电力电子子系统相比，基于SiC能够使其更高效、更紧凑。为了满足全球对SiC电力电子的加速需求，高意将大力建设其位于Easton的近30万平方英尺的工厂，以扩大其最先进的150毫米和200毫米SiC基片和外延片的生产规模。预计到2027年，Easton的150毫米和200毫米SiC衬底的年产量将达到相当于100万块150毫米衬底，200毫米衬底的比例将逐渐增加。Kista外延片产能的扩大旨在服务欧洲市场。

"我们的客户正在加快他们的计划，以应对电动汽车对SiC电力电子器件的预期需求浪潮，我们预计这一浪潮将紧随当前的工业、可再生能源、数据中心等领域的采用周期而来，"新风险投资和宽带电子技术部执行副总裁Sohail Khan说，"未来五年内，Easton工厂将使高意在SiC基片的产量至少增加六倍，它还将成为高意的200毫米SiC外延晶圆的旗舰制造中心，也将是世界上最大的。"

高意将利用其在Kista开发的业界领先的外延片技术。这项技术的与众不同之处在于它能够在单个或多个再生长步骤中实现厚层结构，这非常适合于1千伏以上应用中的功率器件。

Easton工厂将由一个基于燃料电池技术的不间断和可扩展的微电网供电，以提供高保证的供应。