近日,公司成功研发出200V 、250V 先进功率SGT-MOSFET,并在国内率先实现量产,标志着丽隽的研发技术走在行业前列。
     
公司依托先进的12寸制造工艺平台,通过技术创新和改进,完美解决应力瓶颈问题,打造出高品质产品。产品卓越的一致性适宜于并联应用需求;优良的鲁棒性,能更好地应对电路中的干扰、防止器件误开启以及栅极震荡;稳定的高良率,为客户进一步优化成本奠定基础。
     
此次推出的产品主要应用于新能源汽车、充电桩及储能等市场,尤其是新能源汽车OBC和电机驱动领域。

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产品特点

1.高阈值电压,抗干扰能力强;

2.高雪崩耐量,抗冲击能力强;

3.小体积高电流密度,易于封装;

4.卓越的一致性,易于并联;

5.稳定的高良率。

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产品介绍:SPTP20R10


新品发布|丽隽半导体 200V、250V先进功率SGT-MOSFET 研发成功

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产品介绍:SPTP25R20


新品发布|丽隽半导体 200V、250V先进功率SGT-MOSFET 研发成功

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产品应用


新品发布|丽隽半导体 200V、250V先进功率SGT-MOSFET 研发成功

 

原文始发于微信公众号(PIPSEMI):新品发布|丽隽半导体 200V、250V先进功率SGT-MOSFET 研发成功

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