2023年5月8日，三菱电机宣布将于5月31日开始新型肖特基势垒二极管（SBD）-嵌入式碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块的送样，该模块具有3.3kV的双重耐压和6.0kVrms的介电强度。
新模块有望为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率、效率和可靠性。三菱电机已经发布了四个完整的SiC模块和两个3.3kV高压双型LV100模块。为了进一步为大型工业设备逆变器的高功率输出、效率和可靠性做出贡献，该公司将很快开始提供其新模块的样品，该模块作为具有内置SBD和优化封装结构的SiC MOSFET降低了开关损耗。
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