2023 年 5 月 30 日，Navitas Semiconductor （纳微半导体）宣布了一系列战略制造投资中的第一项，以加强对其 GeneSiC 碳化硅 (SiC) 功率半导体的控制、降低成本并提高收入能力。
最初的 2000 万美元投资在公司位于加利福尼亚州托伦斯的总部建立了一个三反应器 SiC 外延生长设施。在原始 SiC 晶圆上添加 SiC 外延（或"epi"）层是制造单个 SiC 功率器件的第一步。首款具备 6 英寸和 8 英寸晶圆产能的 AIXTRON G10-SiC外延反应器预计将于 2024 年完全合格并投产。Navitas 将其新设施提供的外延生长服务视为一个关键的工艺步骤，可以支持高达 2 亿美元的额外年产量。该公司预计将继续使用第三方供应商进行额外的外延生长、晶圆制造和组装操作。
AIXTRON SE 首席执行官兼总裁 Felix Grawert 博士表示："我们感到自豪的是，像 Navitas 这样的重要技术创新者选择了我们的新 G10-SiC，以进一步加速 SiC 在不断增长的节能功率设备市场中的采用。这一点尤其重要，因为 AIXTRON和 Navitas 都是 GaN 和 SiC 超越传统硅的不可阻挡进步的坚定信徒和先驱。正是通过像我们这样的伙伴关系，高度创新的公司共同努力，才能实现这一重要的转变。"
Navitas 首席运营官/首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer表示："在原始 SiC 晶圆上添加高质量的 SiC 外延层是单个设备制造之前的关键工艺步骤，并且将 AIXTRON内部外延层能力添加到现有的分包工艺流程中可以扩大可用产能，降低成品晶圆成本，增加 质量并缩短周期时间，与 Aixtron 的开发和制造业务合作伙伴关系包括持续的技术和共同开发支持。"
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