-- 2022 · 南京--
华太电子
荣获
“2021-2022中国IGBT创新奖”
2022年8月18日，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院等部门主办的2022世界半导体大会隆重举行。华太凭借多年在功率器件技术领域深耕多项技术指标达到国际领先，荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”。
华太电子掌握功率器件和模块的核心设计、工艺及封装技术。拥有高鲁棒性且高性价比的先进Super IGBT结构技术，可提供优越的通态损耗和开关损耗性能与高可靠性, 提高逆变器功率密度。华太Super IGBT技术开关损耗低，工作频率高；在提高开关速度的同时保持低通态压降，多项技术指标国际领先，已量产发货。
Product
IGBT
· 650V，1200V
· Super IGBT技术，开关损耗低，芯片薄，工作频率高；
· 混封半/全电流SiC SBD，更高开关频率和效率；
· TO-247-3/4L两种封装, 开尔文结构效率更优；
SGT MOSFET
· 100V，150V MOSFET
· DFN5x6, DPAK, D2PAK, TO-220AC, TO-220FP等封装可选；
· 适用于BMS, 通信电源，服务器电源，低速电动车，便携式储能等；
SiC SBD
· 650V，1200V，1700V
· 接近于零的恢复损耗，可实现高功率密度高效率；
· 采用MPS结构，具有优良的抗浪涌能力；
· 采用6''晶圆，交期6-8周。
SiC MOSFET
· 1200V, 40/80/160mΩ
· 1700V,1Ω
· 采用高可靠性和高效率的开尔文结构封装；
· 采用6''晶圆，成本更优；
· 适合于新能源汽车，充电桩，储能DC/DC等应用。
工规模块
· 650V 950V 1200V IGBT
· 1200V SICMOS
· 低杂散电感，设计灵活，用于光伏和变频器市场；
· 三电平和半桥拓扑；
· 电流10A-1000A；
车规模块
· 650V 750V 1200V IGBT
· 1200V SICMOS
· 针对新能源汽车客户的需求灵活订制不同的车规产品；
· 单管、半桥和三相桥拓扑
· 电流75A-820A。
Company
苏州华太电子技术股份有限公司（简称“华太”）成立于2010年3月16日，是集半导体器件与工艺开发、芯片设计、芯片封装、材料研发和制造为一体的高新科技企业，是国际领先的功率半导体器件供应商，聚焦万物互联和数字能源两大应用领域。
文章来源：功率市场部
现场图片：世界半导体大会
编 辑：龙丽萍
审 核：CEO 办公室
赋能智慧科技
创造美好世界
原文始发于微信公众号（华太电子）：【获奖】华太电子荣获“2021-2022中国IGBT创新奖”
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