6月29日,2023年 IGBT 产业论坛,将在昆山金陵大饭店举行华润微电子,翠展微电子,芯能半导体,日机装,巴斯夫,比亚迪,中车,上汽英飞凌,广林达,正业科技,安世半导体,赛米控丹佛斯等企业代表将出席。报名联系张小姐:13418617872 (同微信)

IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性,易实现较大电流的能力,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点,又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。


近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了,IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等,IGBT静态参数有
BVCES、ICES、IGES、VGE(TH)、VCE(SAT)、VF等。

1、BVCES:在栅极 G 和发射极 E 短路时,在加一定的 IC 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的击穿电压。
2、ICES:在栅极 G 和发射极 E 短路时,在加一定的 VCE 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的漏电流。
3、IGES:在集电极 C 和发射极 E 短路时,在加一定的 VGE 下,IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间的漏电流。
4、VGE(TH):在一定的 IC 下,IGBT 的开启电压。
5、VCE(SAT):在栅极 G 和发射极之间加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下,IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的饱和压降。
6、VF:在一定的 IE 下,续流二极管的电压降。

要判断一个IGBT器件的好坏,就需要对以上这些参数进行测试,测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较,在范围之内就合格,否则不合格。
IGBT动态参数有T(on)、Td(on)、Tr、E(on)、T(off)、Td(off)、Tf、E(off)等。
IGBT动静态参数测试介绍
图  IGBT开通过程及其参数定义
IGBT动静态参数测试介绍
图  IGBT 关断过程及其参数定义
1、 开通特性:开通时间T(on),开通延时时间Td(on),上升时间Tr及开通损耗E(on)。
开通延时时间Td(on)定义为从栅极电压正偏压的10%开始到集电极电流上升至最终值的10%为止的一段时间。而集电极电流从最终值的10%到最终值的90%之间的一段集电极电流上升时间称之为开通上升时间Tr。开通时间T(on)是开通延时时间Td(on)和开通上升时间Tr之和。开通损耗E(on)是开通过程中电压、电流乘积在某一时间段内的积分。
2、 关断特性:关断时间T(off),关断延时时间Td(off),下降时间Tf及关断损耗E(off)。
关断延时时间Td(off)定义为从栅极电压下降至其开通值的90%开始到集电极电流下降到开通值的90%为止的一段时间。而集电极电流由初始值的90%下降到10%之间的一段时间称为关断下降时间Tf。关断损耗E(off)是关断过程中电压、电流乘积在某一时间段内积分。
3、 二极管恢复特性:反向恢复时间Trr,反向恢复电流Irr,反向恢复电荷Qrr及反向恢复di/dt.

IGBT模块反并联二极管从通态向阻断态转换的过程称为反向恢复过程。反向恢复电流Irr是反并联二极管从通态向阻断转换的过程中,电流反向达到的最大电流值。反向恢复时间Trr是反并联二极管的电流从第一次0点到反向最大值再回到0点的这段时间。反向恢复di/dt是反并联二极管正向电流的50%到第一次降到0点这一段的电流斜率。反向恢复电荷Qrr是反并联二极管的电流从第一次0点到第二次0点这段时间内的电荷量。
IGBT动静态参数测试介绍
图:IGBT动静态测试自动化产线方案(来源:科威尔)

以上部分资料来源:知乎,射手;
目前我们IGBT微信群里面统计到的国内动静态测试设备厂商主要有:
山东阅芯电子科技有限公司
科威尔技术股份有限公司(688551)
陕西开尔文测控技术有限公司
深圳市华科智源科技有限公司
武汉普赛斯仪表有限公司
芯派科技股份有限公司
智汇轩田智能系统(杭州)有限公司
浙江博测半导体科技有限公司
西安精华伟业电气科技有限公司


为加快产业上下游企业交流,艾邦建有IGBT产业链交流,目前已有英飞凌、华润微电子、比亚迪、中车、芯能半导体、晶越半导体、西安卫光、博敏电子、华清电子等IGBT产业链上下游企业加入,欢迎识别二维码加入产业链微信群及通讯录。

IGBT动静态参数测试介绍


推荐阅读:【邀请函】2023年 IGBT 产业论坛(6月29日·昆山)

2023年 IGBT 产业论坛

 IGBT Industry Forum

6月29日(周四)

昆山金陵大饭店

地址:苏州市昆山市 前进东路389号

时间安排

议题

演讲单位

08:45-09:00

开场致辞

艾邦创始人  江耀贵

09:00-09:30

IGBT在工业驱动器的应用技术展望与探讨

汇川技术 功率器件首席专家 吴桢生

09:30-10:00

新一代微沟槽技术IGBT芯片的研发

芯能半导体  研发总监  滕渊

10:00-10:30

茶歇

10:30-11:00

一体化高性能逆变砖模块技术研究

翠展微电子  总经理  彭昊

11:00-11:30

SiC 功率元器件的有压烧结工艺

日机装株式会社  市场销售主管  徐飞

11:30-12:00

聚芳硫醚类高性能材料应用于IGBT模块的全产业链解决方案

中科兴业 总经理  郭万才 博士

12:00-13:00

午餐

13:00-13:30

IGBT模块封装技术趋势探讨

华润微电子封测事业群  研发总监  潘效飞

13:30-14:00

X-RAY在IGBT封装测试中的应用

正业科技  营销总监  刘思敏

14:00-14:30

双芯片粘片工艺与设备助力优质高效IGBT封装

立德智兴  CTO   李元雄  博士

14:30-15:00

全自动IGBT超声检测技术及应用

广林达  半导体事业部总经理  叶乐志

15:00-15:30

PPS材料在IGBT行业中的应用

欧瑞达  技术总监  熊军

15:30-16:00

茶歇

16:00-16:30

BASF特性材料在IGBT上的解决方案

巴斯夫  应用开发经理  赵宏斌

16:30-17:00

高凯技术赋能IGBT真空灌封

高凯技术  华南销售总监  孙小景

17:00-17:30

IGBT封装材料解决方案

晨日科技   博士/高级工程师  贾越

17:30-18:00

帝科湃泰PacTite®功率半导体封装浆料解决方案

无锡湃泰电子  技术与市场副总裁  南亚雄

18:00-18:30

先进功率模块焊接设备及工艺方案

合肥恒力装备  电热事业部副总经理  赵建华

18:30-19:00

大功率半导体器件多物理仿真与可靠性逆向设计方法

浙江大学  教授   尹文言

19:00-21:00

晚宴

赞助、参会请联系张小姐:13418617872 (同微信)

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赞助企业:

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深圳市晨日科技股份有限公司

江苏高凯精密流体技术股份有限公司

江苏欧瑞达新材料科技有限公司

翠展微电子(上海)有限公司

华润微电子有限公司

芜湖立德智兴半导体有限公司

广东正业科技股份有限公司

无锡湃泰电子材料科技有限公司

苏州广林达电子科技有限公司

深圳芯能半导体技术有限公司

常州富烯半导体材料科技有限公司

深圳市沃特新材料股份有限公司

东莞市可俐星电子有限公司

苏州晟鼎半导体设备有限公司

奇石乐仪器仪表科技(上海)有限公司

古河产业株式会社

巴斯夫(中国)有限公司

浙江杭可仪器有限公司

宜兴市丁蜀金属陶瓷基片厂

诚联恺达科技有限公司

南通浩盛汽车科技有限公司

上海住荣科技有限公司

合肥恒力装备有限公司

广德东风电子有限公司

浙江大学

盛吉盛智能装备(江苏)有限公司

山东赛恩吉新材料有限公司

东莞普金煅压制品有限公司

四川中科兴业高新材料有限公司&子公司广东中科普万新材料科技有限公司

聚凯芯(上海)科技有限公司

深圳市鑫典金光电科技有限公司 

广东杰果新材料有限公司 

苏州德龙激光股份有限公司

深圳市易通自动化设备有限公司

无锡帕捷科技有限公司

报名方式:

方式1:加微信

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同期论坛:【邀请函】第六届陶瓷基板及封装产业论坛(6月30日 昆山)
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原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):IGBT动静态参数测试介绍

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