半导体功率器件研发企业「北一半导体」完成超1.5亿元B轮融资

导读：北一半导体主打产品为IGBT模组及芯片等系列产品，并在SiC模组研究上取得积极进展。

北一成立于2017年，是一家专注于半导体功率器件研发的高新技术企业，主打产品为IGBT模组及芯片等系列产品，并在SiC模组研究上取得积极进展。公司推出的IGBT模组产品目前已在头部新能源汽车企业、光伏储能、变频家电及工业控制领域等头部客户批量使用。

公司团队由来自国内外知名半导体企业的成员组成，公司拥有经验丰富且具有创新能力的国际型人才队伍，团队核心成员从事半导体功率器件设计和工艺开发20余年，拥有业界领先的模组及芯片设计研发水平及完善的工艺。 

北一创始人金明星先生表示：“北一是一家注重技术创新并以市场需求为导向的公司，我们非常注重在产品研发以及客户需求服务上的投入，这几年也有了快速的发展，公司力争在新能源领域以及新产品SiC上取得突破。”

金鼎资本科技事业部合伙人张守鹤认为：“国内IGBT等功率半导体领域存在产能过剩的风险，头部企业率先实现国产突破。公司成立至今发展快速，成功将产品打入头部主机厂、积极扩展新的汽车客户和未来新的增长点储能领域，并在SiC领域和国际头部企业合作，另一方面公司也在合理做好成本控制。金鼎认为北一团队在技术和客户拓展上表现优秀，相信也期待着金总能带领北一走得更远，在功率半导体领域占有一席之地。”