萃锦科技首款SiC模块产品出样

        该产品采用进口先进的1200V SiC MOSFET芯片、三相全桥拓扑结构，引入低感设计、双面银烧结、铜线键合、高温灌封等先进技术，具有低杂散电感、优异的热管理结构、超低损耗、高输出功率、高可靠性等特点。

● 极低的芯片损耗，实现Rdson低至1.63mΩ

● 车规级的封装设计，实现Tjop达175℃持续工作

● 优化的热管理设计，实现Rjf达0.105℃/W

● 基于AQG324标准的高可靠性设计

        公司位于长三角电子工业高地江苏昆山，建有“功率半导体研发中心”和10,000平米功率芯片后道加工和IGBT/SiC模块封装生产线，产能可达每年100万只功率模块。

        公司产品主要包括IGBT模块E1系列、SiC模块H1系列、SiC模块M1系列等，主要应用于光伏、储能、风电、电动大巴、工业驱动、新能源乘用车等场景和领域。以IGBT技术为基础，公司正不断突破和积累下一代功率半导体器件的关键技术，不断创新，并进一步发挥在研发、生产、品牌、市场、渠道、人力资源等方面的综合竞争优势，向产业链上下游延伸发展，努力实现跨越式发展，以萃锦科技助力中国制造2025，为国家节能减排、产业升级，以及建立绿色繁荣和谐社会做出更大贡献。

        公司创始团队是国内外半导体技术产业化领袖的组合，深耕行业平均超30年，富有行业前瞻洞见力，覆盖芯片设计、设备、工程、制造和Fab管理，拥有中国大陆、欧美、新加坡、中国台湾等跨国工作和国际化团队管理经验。团队建制完整，包括美国万国半导体、荷兰恩智浦半导体和英国剑桥的资深技术专家，同时具备国际化销售能力和供应链配套保障能力。

        萃锦科技秉持着求真务实、锐意创新的工程师文化，将推动行业进步作为所有萃锦人的使命和目标。未来，萃锦科技也会用更多元化的产品，满足业务伙伴及消费者多样化的需求，助力新能源产业的进步。

原文始发于微信公众号（萃锦半导体）：萃锦科技首款SiC模块产品出样