半导体制造设备制造商 DISCO 公司开发了一种针对 GaN（氮化镓）晶圆生产进行优化的工艺，该工艺采用激光加工的晶锭切片方法"KABRA"。该工艺可以同时实现增加GaN晶片的生产数量和缩短生产时间。
作为功率器件材料，GaN具有优异的高速功率转换和传导过程中的低功率损耗，使其在小型电源和5G基站中的应用前景广阔。 另一方面，GaN 被认为是一种有价值的材料，因为生长晶体需要时间，而且生产的晶锭又小又薄。
传统上，将 GaN 锭切成晶圆的主流方法是使用金刚石线锯。然而，使用线锯进行切片时存在一些问题，例如加工时间、切片部分的材料损失比所用线的厚度还要厚，以及由于研磨时的材料损失而生产的晶圆数量较少。 切片后进行的工艺，使表面平坦化。 这些导致晶圆价格昂贵，阻碍了GaN功率器件的普及。
自开发用于生产 SiC（碳化硅）晶圆的 KABRA 工艺以来，DISCO 一直收到许多制造商的请求，希望将该工艺也应用于 GaN，这是与功率器件一起的下一代衬底材料。 碳化硅。DISCO 一直致力于研发，以实现针对 GaN 优化的 KABRA 工艺此次，该公司宣布将其作为一项大规模生产技术。
GaN 晶圆量产的 KABRA 工艺流程：
激光照射到铸锭内部，形成 KABRA 层
晶锭分离成晶圆
将晶圆研磨至指定厚度
铸锭上表面研磨以供下次激光照射
传统工艺流程：线锯
传统工艺与KABRA工艺的比较
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