IGBT,IGCT和IEGT分别是什么 ?IGBT失效的罪魁祸首到底是什么 ?

IGBT，IGCT和IEGT分别是什么，区别和共同点是什么 ?

IGBT与集成门极换流晶闸管IGCT对比

图1 :IGBT与IGCT、GTO

对比通过上图对比可以看出 :IGCT损耗更少。三种器件的关断损耗相差不大，导通损耗IGCT和IGBT相差两倍，但IGCT驱动功率要远比IGBT大。总之IGBT在较低电压应用时，IGBT的导通损耗较低，所以性价比高。而IGCT在较高电压时性价比高。根据使用场合和设计标准，在1800V~3300V两者之间有重叠。

IGBT与电子注入增强栅晶体管IEGT对比

IGBT是一种MOS门极器件，它的门极由电压动，开关速度高，因此在高频领域得到了广泛应用但它也有一些问题，例如工作电压低，容量小，导通压降和损耗高，这也限制了它的应用。而IEGT是一种兼备其优点，克服其缺点的新器件。近年来已经形成了商用产品。与传统器件相比。它具有通态压降低，门极驱动电流小，功率密度大，开关损耗小，速度快的优点。图2为IEGT和GTO门极参数对比，图3为针对典型规格的4.5KV/3kA IEGT、GTO、IGCT性能对比。

图2 : IEGT和GTO]极参数对比

图3: 针对典型规格的4.5KV/3kA IEGT.GTO、IGCT性能对比

• 与GTO一样具有低的导通电压降;
• 与IGBT一样具有宽的安全工作区 ;
• 门极采用电压驱动方式;
• 较高的工作频率500-1000Hz
• 高可靠性。 

综上两节所述，得到如下结论:

• IGCT、IEGT开关频率都很高，在500-1000Hz之间，虽然远不及IGBT高，但在很多场合已经足够。
• IGCT是电流脉冲驱动，驱动功率比较大，但其门极驱动电路集成在IGCT内，对外只有门极驱动供电接口和用于传输触发信号和反馈状态的光纤，驱动体积小且简易。IEGT是电压驱动型器件，驱动功率与IGBT差不多
• IGCT是晶闸管的复合管，可直接串联，因此不必过多考虑均压措施。而IGBT在串联使用时应考虑均压措施。
• IGCT与IEGT导通和关断损耗都很低，尤其是IGCT，如果不计驱动功率，同电压等级的IGCT损耗要比IGBT更低。
• 对于IGCT和IEGT来说，4.5kV/3kA是较常用的规格，其容量和电压等级要远比IGBT大得多，更适合应用在大功率FACTS装置及大功率传动装置中。

原文始发于微信公众号（深华颖半导体）：IGBT,IGCT和IEGT分别是什么 ?IGBT失效的罪魁祸首到底是什么 ?