TEL发布用于400层以上堆叠3D NAND Flash的10微米深度内存通孔蚀刻技术

Tokyo Electron(TEL)日前在日本京都举办2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits会上,宣布其位于等离子刻蚀设备开发和制造基地的TEL Miyagi工厂的开发团队,开发出了一种创新型刻蚀技术,该技术可在400层以上的先进3D NAND堆叠结构中形成内存通孔。
在电介质蚀刻尚未投入实际应用的极低温区域,该工艺显著提升电介质蚀刻的速度,并实现了与设备的兼容。
这项突破性新技术,不仅能在短短33分钟内完成10微米深的高纵横比蚀刻,且与传统技术相比,还能将全球变暖潜能值(Global Warming Potential, GWP)降低84%。
如下图1所示,蚀刻结构的几何形状非常清晰。这项技术将推动更大容量的3D NAND Flash的技术创新。
 

TEL发布用于400层以上堆叠3D NAND Flash的10微米深度内存通孔蚀刻技术

图1. 通孔的横截面SEM图和孔底部的FIB切图
 

图2. 3D NAND Flash
 

原文始发于微信公众号(TOKYO ELECTRON):TEL发布用于400层以上堆叠3D NAND Flash的10微米深度内存通孔蚀刻技术

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