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近期,从公司控股子公司振华永光传来好消息:第6代IGBT功率模块迎来窗口期,第7代IGBT功率模块成功研制

喜讯 | 第6代IGBT迎来窗口期 第7代IGBT获得突破

根据振华永光IGBT订货情况显示,截止2023年5月31日,第6代IGBT功率模块的用户数量同比增长42.9%,IGBT订货金额同比增长100%以上,这些都得益于第6代IGBT优良的开关损耗和可靠性表现,未来预期在伺服电机、风力发电等领域均会有良好表现。

2023年6月,振华永光成功研制出第7代IGBT芯片的1200V/900A功率模块,该产品参数性能可完全对标世界一流企业第7代同类产品。

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什么是IGBT?

IGBT是现代电力电子器件中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的“CPU”。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的缩写,即绝缘栅双极型晶体管,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。IGBT作为工业控制及自动化领域的核心元器件,能够根据信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等众多领域。

第7代IGBT有什么优势?

第7代IGBT芯片是基于全新微沟槽技术,与第6代IGBT芯片技术相比,静态损耗降低了30%。该芯片使用在功率模块中,可带来更高的电流密度,相同封装体积下的输出电流能力增加50%以上。同时将IGBT功率模块的最高结温从第6代的150℃提升到175℃,具有广阔的市场前景。

供稿   振华永光

编辑   王   洁

审核   潘文章  王   佳

监制   龙小珊

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原文始发于微信公众号(振华科技000733):喜讯 | 第6代IGBT迎来窗口期 第7代IGBT获得突破

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