为什么要去除光刻胶？
在光刻环节里有个不可或缺的步骤就是晶圆去胶，光刻胶在完成图形复制和传递作用后，晶圆表面剩余光刻胶需要通过去胶工艺进行完全清除。 随着后摩尔定律时代的到来，半导体行业转向超浅结、多重图形化超低k介电和3D架构，对光刻胶去胶工艺要求也随之增高，需要更有效地处理复杂的器件结构。在晶体管层面，去胶工艺引起的薄膜微小变化就会影响结电阻率、结深和掺杂剂活化，从而影响器件的性能。
那么光刻胶如何去除呢？ 半导体光刻胶去除工艺，一般分成两种，湿法去胶和干法去胶。相对于湿法去胶，等离子干法去胶利用高能等离子体处理光刻胶表面，去胶彻底且速度快，不需引入化学物质，减少了对晶圆材料的腐蚀和损伤，是现有去胶工艺中最好的方式。 *图源：半导体行业观察
晟鼎多年来坚持深耕等离子表面清洗活化，围绕半导体行业，晟鼎组建专业团队投入研发，迄今为止，获得了多项等离子晶圆去胶、刻蚀等专利。同时成立了苏州半导体设备有限公司，不断开拓晶圆领域的全新应用。
ICP等离子去胶机
ICP等离子去胶机依托晟鼎多年的光刻去胶的经验积累，采用高密度、低损伤等离子源设计，同时配备晟鼎成熟的远程ICP技术，达到高水平的去胶速率，并实现去胶损伤抑制；采用独立腔室结构设计，实现均匀的流场分布，去胶均匀性表现优异。 产品优势： •兼容主流4-8寸圆形晶圆 •单次可处理两片晶圆，处理过程保持较低温度 •全自动程度高，实现全自动晶圆上下料、清洗流程 •等离子密度高，去胶效果好 *设备除胶标准
RIE等离子去胶机
RIE PLASMA去胶机是适用于硅基材料的晶圆表面去胶的清洗设备，也可用于光刻胶去除，碳化硅刻蚀，硬掩膜层干法清除，刻蚀后表面清洁，氧化硅或氮化硅刻蚀，DESCUM，介质与介质间光阻去除等应用领域，材料适用范围：4-8寸。设备稳定可靠、易于维护、产能高。 产品优势： •高密度等离子体，各种工艺兼容性高 •清洗均匀性高，设备易于维护 •紧凑集成式设计、占地少
提升产品良率的专业解决方案
除了等离子去胶外，晟鼎作为等离子技术专家，在晶圆表面检测与晶圆封测段也有广泛的应用，致力为客户打造提升产品良率的专业解决方案。
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