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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGL™（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。
自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。
XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGL™封装（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。
与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM（W）封装产品[2]相比，S-TOGL™封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM（W）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的DPAK＋封装（6.5mm×9.5mm[1]）产品，从而实现了大电流。总体而言，S-TOGL™封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。
由于汽车设备可能在极端温度环境下工作，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGL™封装采用鸥翼式引脚，可降低表贴应力，提高焊点的可靠性。
当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。
东芝将继续扩展其功率半导体产品线，并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。
● 汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等
特性
● 新型S-TOGL™封装：7.0mm×8.44mm（典型值）
● 高额定漏极电流：
XPJR6604PB：ID＝200A
XPJ1R004PB：ID＝160A
● AEC-Q101认证
● 提供IATF 16949/PPAP[4]
● 低导通电阻：
XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V）
XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V）
主要规格
注：
[1] 典型封装尺寸，包括引脚。
[2] TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封装。
[3] 东芝可以提供分组出货，每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。
[4] 请联系东芝销售代表了解更多信息。
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*S-TOGL™是东芝电子元件及储存装置株式会社的商标。
*其他公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过8,598亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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原文始发于微信公众号（东芝半导体）：东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化
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