SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材 料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。 
碳化硅晶圆应力检测设备介绍
碳化硅外延片 图摄于海乾半导体展台
 
以碳化硅为原材料制成的器件称为SiC器件,根据电学性能差异分成半绝缘型碳化硅基射频器件与导电型碳化硅功率器件。半绝缘型碳化硅基射频器件以半绝缘型碳化硅衬底经过异质外延制备而成,主要面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。导电型碳化硅功率器件主要应用于电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通等领域。
 
碳化硅晶圆应力检测设备介绍
 
碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。
 
其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节,衬底成本占到碳化硅器件总成本的50%,外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。
 
各生产环节的质量控制尤为重要,每个环节都有各自的常见缺陷,碳化硅晶锭和衬底片中均含有多种晶体缺陷,如堆垛层错、微管、贯穿螺型位错、贯穿刃型位错、基平面位错等等。
 
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SiC晶圆位错缺陷实测案例
 
此外,碳化硅还存在较大的应力,会导致面型参数出现问题。化合物晶圆衬底片和外延片中的内应力会在后续工艺中导致晶圆翘曲和破裂,同时内应力大小分布也能直观反映晶圆位错缺陷程度。
 
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SiC晶圆内应力分布实测案例
 
碳化硅各环节的缺陷会极大地影响最终器件的良率,这是产业链中非常重要的话题,各衬底厂家都在不遗余力地降低碳化硅晶锭缺陷密度。
 
所以在碳化硅产品的生产制备之中,检测设备是必不可少的,也是提升其产品良率的一种手段。
 
瑞霏光电应力检测仪SV200可以开展6/8寸碳化硅衬底、外延片的高分辨率内应力分布测量,定量化输出内应力数值,同时能够开展晶圆微管缺陷的自动识别,可以广泛应用于化合物晶圆材料生长、衬底和外延片质量监测和工艺调整。
 

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内应力检测仪
 
检测原理
 
基于偏振光应力双折射效应检测晶圆材料内部应力分布。当晶体材料由于内部缺陷存在应力集中时会导致应力双折射效应,偏振光透过它时会发生偏振态调制,通过测量透射光的斯托克斯矢量可以推算出材料的应力延迟量,从而得到材料内应力分布
 
优势
 
基于双折射应力测量模型实现应力瞬时测量,显示应力二维分布伪彩图;采用双远心检测光路,相位延迟测量精度高;
 
根据不同测量视场要求,多种镜头可选;
 
订制化样品托盘,适应不同规格晶圆批量测试。
 
Strain Viewer技术规格

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(以上资料参考:瑞霏光电,联系电话:400 069 8900)
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推荐活动:

第二届功率半导体器件产业论坛
The 2nd Power Semiconductor  Devices Industry Forum
11月8日
深圳观澜格兰云天大酒店

序号

Provisional agenda

To invite

1

面向新能源应用的功率半导体器件解决方案

拟邀请光伏功率器件专家

2

碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用与挑战

拟邀请SiC功率器件企业

3

SiC芯片技术进展及趋势

拟邀请SiC芯片技术专家

4

全新一代IGBT设计技术

拟邀请IGBT企业

5

IGBT技术发展情况及市场现状

拟邀请IGBT企业

6

碳化硅器件的现状及发展趋势

拟邀请SiC器件企业

7

高温高功率IGBT模块封装的技术挑战 

拟邀请IGBT企业

8

车规级IGBT技术的最新进展

拟邀请车规级器件专家

9

功率半导体器件关键仿真技术及应用方案 

拟邀请仿真技术专家

10

SiC功率模块的关键技术研究与应用

拟邀请SiC模块企业

11

碳化硅材料技术产业现状与发展趋势

拟邀请SiC供应商

12

功率半导体模块动静态特性与可靠性测试解决方案

拟邀请测试技术专家

13

功率模块模块的自动化生产装备

拟邀请自动化企业

14

超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势

拟邀请超声波焊接企业

15

大功率半导体器件先进封装技术及其应用

拟邀请功率器件企业

16

功率模块多芯片系统封装技术

拟邀请贴片机设备企业

17

IGBT/DBC 清洗技术

拟邀请清洗材料/设备企业

18

功率半导体器件银烧结工艺技术

拟邀请银烧结技术企业

19

大功率功率模块散热基板技术

拟邀请散热基板企业

20

高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术

拟邀请陶瓷衬板企业

21

功率模块封装材料解决方案

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