背景介绍

依托于光刻机的光罩(Litho)工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺,光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型IGBT一般采用9-10层光罩进行加工。安建早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止IGBT技术,是国内第一家量产第七代IGBT的国产厂家,并完全拥有相关自主知识产权。

 

技术突破

近期,安建将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台,也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。

 

产品特点

下图为安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆。

安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。下图为采用上述晶圆封装的第七代1200V-25A PIM模块,型号为JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容国外进口的第七代EasyPIM-1B™模块)。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。

安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT
安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

相应模块在某知名客户4kW高频电机变频器(载频16kHz)完全通过各类极限工况测试,测试结果如下:

 

驱动波形:

安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

相间短路波形:

安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

1s急减速测试波形:

安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

 

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安建首发七层光罩12英寸第七代IGBT

料来源:安建科技

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第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛
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主办单位:艾邦智造
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冠名支持:珠海市硅酷科技有限公

01

Translation: Conference Topics

         

序号

Topic

单位

1

电动汽车主驱功率模块的开发与应用

智新半导体 主任工程师 王民

2

基于先进IGBT的可靠性及FA研究

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3

基本半导体B2M第二代碳化硅MOSFET在新能源市场的应用

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面向光伏与储能应用的功率半导体解决方案

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功率模块封装工艺

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6

IGBT可靠性评估及失效分析

南粤精工 总经理 李嵘峰

7

大功率功率模块散热基板技术

鑫典金 副总 李灿

8

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SiC芯片贴片用铜浆的技术进展

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10

功率半导体模块动静态特性与可靠性测试解决方案

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11

汽车芯片产业发展现状与未来趋势

拟邀应用终端厂

12

SiC芯片技术进展及趋势

拟邀请SiC芯片技术专家

13

碳化硅生长技术浅析与展望

拟邀请碳化硅材料供应商

14

大尺寸碳化硅晶片精密研磨抛光技术

拟邀请碳化硅研磨抛光企业

15

IGBT/DBC 清洗技术

拟邀请清洗材料/设备企业

16

高温高功率IGBT模块封装的技术挑战

拟邀请IGBT企业

17

功率模块模块的自动化生产装备

拟邀请自动化企业

18

超声波焊接技术在功率模块封装的应用优势

拟邀请超声波焊接企业

19

大功率半导体器件先进封装技术及其应用

拟邀请封装企业

20

高可靠功率半导体封装陶瓷衬板技术

拟邀请陶瓷衬板企业

21

IGBT模块封装材料解决方案

拟邀请封装材料企业

 

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