重投天科将出席2023年第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛并做主题演讲

深圳市重投天科半导体有限公司（以下简称“重投天科”）成立于2020年12月15日，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）衬底及外延的研发、生产和销售的高新技术企业。

以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体材料是继硅以后最有行业前景的半导体材料之一，相比硅等第一代单质半导体其在高频、高导热性能方面优异很多，主要应用于5G通讯、新能源汽车、电力电子以及大功率转换领域等战略新兴产业，未来随着成本下降可迎来更广泛应用，因此第三代半导体材料的产业发展将引发科技变革并重塑国际半导体产业格局。

公司投资建设的第三代半导体产业链项目是战略支撑深圳打造全国第三代半导体技术创新高地的市级重大项目，重点布局6英寸碳化硅单晶衬底及碳化硅外延片材料，解决下游客户在轨道交通、新能源汽车、分布式新能源、智能电网、高端电源、5G通讯、人工智能等重点领域的碳化硅器件产业链发展的原材料基础保障和供应瓶颈。

主要产品

导电型4H-SiC衬底晶片

深圳市重投天科半导体有限公司为客户提供低缺陷密度高均匀性的4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，其中外延层厚度为1μm至35μm，掺杂浓度为1E15—1E18 cm^（-3）。产品主要用于制造结势垒肖特基功率二极管（JBS）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）。其应用领域包括白色家电等消费电子、电动汽车、轨道交通、国家电网、航空航天、军民融合和机载舰载电源等。

半绝缘型4H-SiC衬底片

艾邦智造将于2023年11月8日在深圳举办第二届功率半导体IGBT/SiC产业论坛，届时深圳重投天科半导体有限公司 技术副总 郭钰 将莅临现场给大家介绍《碳化硅生长技术浅析与展望》，期待大家的与会交流。

嘉宾介绍：

郭钰博士毕业于中国科学院物理研究所凝聚态物理专业。2008.7-2022.12期间先后任职北京天科合达半导体股份有限公司技术部工程师，主管，经理，副总监等职位。2023.1月至今，任职北京天科合达半导体股份有限公司技术总监，兼任深圳重投天科公司技术副总经理，主持公司晶体、晶片和外延等技术攻关工作。郭钰博士对SiC材料制备中面临的一系列科学技术问题进行了深入的研究和探索，以主要研发人员身份参与了国家各部委、北京市、深圳市的多项科技攻关项目。

演讲大纲：

1、碳化硅特性及其应用

2、碳化硅市场发展历程和展望

3、先界暗进工艺展望

4、重投天科与工艺现状