——符合钛金级能效标准——
英诺赛科SVP产品负责人孙毅表示：“服务器电源的功率等级已从800W提升到1.3kW，甚至4kW，因此对功率密度以及效率提出了非常高的要求。氮化镓的开通与关断损耗与碳化硅、硅器件相比下降了50%以上，并且没有反向恢复损耗，可以轻松满足钛金级效率需求。”
1U标准尺寸，整机峰值效率96.5%，满足钛金能效标准； PFC级采用工作在连续模式的图腾柱无桥PFC，峰值效率99%； LLC变压器2级矩阵设计，原边串联，副边并联，解决低压大电流输出时变压器散热难和损耗大问题； 系统布局结构优化，风道最优设计，实现整机系统的优异散热表现。
——挑战功率密度极限—— 在数字时代，互联网、人工智能以及大数据应用的需求不断增长，数据中心需要处理更多的数据，带来了更大的功率需求。随着功率的增加，传统的12V供电架构下，需要更大尺寸的线缆、连接器以及更厚的主板电源板来降低配电线阻，从而降低系统的传输线损，这不但限制了功率的传输，同时也增加了系统的重量。近年来，新的48V供电架构被提出来用以解决更大功率的需求，同样的电流下可提供4倍的输出功率。
与Si方案相比： 采用GaN的系统方案可将有效占空比提高7%，死区降低43.8%，原边有效电流降低7.3%，副边有效电流降低5.2%； 方案中的器件、变压器、PCB等总损耗降低20%，可以使效率提升0.5%以上； 基于系统38W散热条件下，Si方案输出功率960W，GaN方案可以输出1100W，功率密度可以提高15%以上。
——Last inch功率密度，效率提升的关键—— 服务器作为算力中心的三大基础设施之一，是构建算力中心的核心要素，整体功耗能占到总能耗的40%-50%。 采用氮化镓设计的Vcore核心供电方案，支持MHz以上开关频率，减小无源元件体积从而提高功率密度，同时InnoGaN能够实现更高的效率和更低的成本，打造系统优势。
相比于700~800kHz 的传统Si方案，GaN频率提升至1.5MHz以上，电感等无源元件体积减小，power stage功率密度预计提升超过30%； 预计能够帮助系统效率提升超过1%，从而减少系统损耗。
数据中心采用全链路GaN设计方案，能够提高能源转换效率，将系统损耗降低50%。浪潮、阿里等云计算厂商已经相继将GaN纳入新的服务器架构设计中，提高模块化、集成化程度，进一步解决算力能耗问题，创新整机系统设计。与此同时，GaN的规模化量产与技术的成熟也使其成本优势逐渐显现。市场和技术的双向推动，将加快GaN在数据中心的应用。 
原文始发于微信公众号（英诺赛科）：全链路InnoGaN数据中心方案发布，系统损耗减少50%
一颗芯片的制造工艺非常复杂，需经过几千道工序，加工的每个阶段都面临难点。欢迎加入艾邦半导体产业微信群：
长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊
English 
Chinese