环球晶圆 朋程科技 于国际光电大展强势登场 展现化合物半导体尖端研发成果

由财团法人光电科技工业协进会主办的「第三十一届国际光电大展」在10月25日~27日于台北南港展览馆一馆展出为期三天的科技盛宴。作为在半导体技术领域领先的公司，环球晶圆与母公司中美矽晶集团旗下转投资事业-朋程科技同时参展，各自推出化合物半导体的最新成果。

此次光电展环球晶圆将聚焦于8吋碳化矽（SiC）晶体长晶技术、6吋与8吋SiC晶片的超薄加工能力，以及在氮化镓（GaN）磊晶领域等具高附加价值的利基产品，展现其深耕化合物半导体产业多年的技术优势。碳化矽晶体因需于极高温的密闭环境下生长，长晶炉的热场设计及坩埚材质等因素增加了设备和操作的复杂性。环球晶圆自主设计开发碳化矽专用的长晶炉，在实现更高的材料品质控制的同时进一步降低长晶成本。藉由卓越的技术控制、生产效率和持续的研究开发，环球晶圆克服碳化矽长晶的技术困难，将碳化矽（SiC）长晶成功推进至8吋，为客户提供高品质、高性能的碳化矽材料。

碳化矽高硬度与高脆性使得后续晶圆加工过程非常困难。奠基于晶圆加工的先进技术，环球晶圆以更高的制程精度与更有效的晶圆处理方法成功实现碳化矽晶圆的超薄加工，于展场推出6吋90µm 及8吋350µm碳化矽超薄抛光晶圆。超薄碳化矽晶圆在轻量化、散热性能、热传导、高频率操作、元件微型化和材料成本等方面具有优势，是高性能半导体元件的理想选择。环球晶圆的碳化矽晶圆包含4~6吋半绝缘晶片与6~8吋导电型碳化矽晶片，全方位产品可以满足客户多样化需求，多领域的应用扩展。

氮化镓异质磊晶存在诸多技术困难，例如晶格不匹配、应力和缺陷等问题，环球晶圆专注研发，成功推出全系列氮化镓异质磊晶产品，包括矽基板、碳化矽基板和蓝宝石基板等。多样的基板选择可以满足不同的需求，全方位拓展终端应用。

朋程科技此次展出包含：碳化矽(SiC) 功率模组 、IGBT功率模组、SiC MOSFET Discrete、SiC Diode Discrete、Si IGBT Discrete及功率元件晶圆等。朋程在原有燃油车发电机二极体市占率第一，深耕燃油车发电机之技术优势，未来在全球节能减碳趋势下，电动车将取代燃油车，碳化矽(SiC)功率模组、IGBT功率模组将成为未来功率模组市场成长主力，朋程此次展出主打碳化矽(SiC) 功率模组及IGBT功率模组。

朋程从燃油车发电机二极体供应商角色朝向提升附加价值的化合物半导体之功率模组发展，积极研发与生产车用及工业用功率元件，除布局SiC IGBT模组外，亦积极研发功率元件晶圆。新能源车快速发展，朋程正积极转型产品结构。针对电动车关键零组件SiC模组，朋程朝SiC的IDM厂迈进，掌握IC设计、晶圆代工、封装的一条龙生产。

环球晶圆拥有丰富的半导体基板技术，朋程科技在汽车用半导体零件领域发展多年。凭借各自的产业经验，双方得以充分发挥优势，为电动车市场提供更先进、高性能的解决方案，以满足迅速成长的电动车市场。

文章来源于：环球晶圆股份有限公司