SKC半导体材料事业介绍

SKC通过坚持不懈的投资、研究和开发，在世界半导体先进材料与零件领域努力成为领先企业。

公司基于40年的材料技术，此前在存储介质和聚氨酯事业领域累积的技术能力，为研发半导体专业材料CMP研磨垫和空白光掩膜奠定了基础。

2017年成立爱思开希（南通）半导体材料有限公司，是SKC在江苏南通建立的半导体湿电子化学工厂，通过持续的研发和与客户的紧密合作，正在朝着具有代表性的半导体特殊材料企业迈进。

SKC 南通半导体办公楼

SKC 南通半导体生产车间

发展历程

2015

09 CMP Pad项目启动

2017

04 成立南通湿电子化学

2019

04 成立韩国天安空白光掩模厂

2019

12 正式量产稀释剂

① 稀释液

清洗设备残留的光刻胶

稀释剂是去除在半导体和DISPLAY制造过程中基板边缘或是喷嘴上残留的光刻胶，从而使制造设备正常运转的基础材料。在半导体制造当中，为了减少晶片的边缘修复、光刻胶的使用量，会在RRC、光刻胶REWORK以及管道清洗时使用稀释剂。

在TFT-LCD DISPLAY的制造当中，除了EBR工艺以外，稀释剂还应用于光刻胶喷射喷嘴及COATER CUP清洗环节。

② 显影液

将光刻胶选择性去除

在半导体和DISPLAY制造过程中，经过光刻工艺中通过紫外线照射，利用显影液将曝光/非曝光的光刻胶选择性地去除，再将已形成的模型经过蚀刻，IMPLANT工序等，通过彩色过滤片形成颜色。

③ 蚀刻液

去除氧化膜和金属

应用于半导体行业的蚀刻液HF/BOE主要是将硅、锗等氧化膜经过湿式蚀刻以及将各种氧化膜和金属等去除的原料。

在DISPLAY的制造过程中，光刻胶经过曝光机显影过后，形成的特定模型中裸露在外的金属部分，利用化学反应原理，使用蚀刻液将其蚀刻后形成所需模型。

④ 空白光掩膜

半导体曝光工艺的核心部件

空白光掩膜是用于在半导体晶片上雕刻电路的光掩模的原材料。它是通过在石英上涂覆金属膜和光敏膜制成的。用照片胶卷来比喻的话，拍摄前的胶片是空白光掩膜，拍摄后被转写的胶片是光掩模。

随着半导体技术的发展，需要能够形成精细图案的高像素光掩模，因此必须具备能够满足这一要求的空白掩膜，SKC正在加快高端空白光掩膜的国产化速度。

空白光掩膜

用于光掩模的图案形成

主要产品	特性
相移空白光掩膜	运用功能性膜提高光掩模图像像素

⑤ CMP研磨垫

提高半导体集成度的抛光垫产品

CMP研磨垫是一种提高半导体集成度所需的产品，在半导体晶圆表面通过物理、化学反应研磨，使半导体晶圆表面变得平坦。

随着3D Nand Flash等产品的产量增加，CMP研磨垫成为一款需求不断增加的耗材。

CMP 研磨垫

用于研磨半导体晶圆表面

⑥ CMP Slurry

基于优良的研发基础设施腾飞

CMP Slurry是平坦化工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物，用途是使半导体晶圆大范围平坦化、调节拓扑与表面粗糙度。

2016年SKC开始量产销售，目前产品群正在不断扩大。基于优良的技术，坚持朝着CMP研磨液行业的全球顶级的目标迈进。

CMP工艺之研磨液CMP Slurry

主要产品	特性
SW-300	半导体W布线工艺和调节表面粗糙度使用的低缺陷液
NTS-300	选择性研磨氮化硅膜质(~1,000 A/min)，在多晶硅和二氧化硅膜质下可以停止
SWC-100	基于胶体氧化铈（Colloidal ceria）的新产品，低刮伤、低凹陷功能
SAC-100	采用新一代物质非晶碳膜质的新工艺具有高研磨率和低缺陷的性能
HTC-L-200	TSV工艺用产品，可以根据客户需求调节氧化硅、铜、氮化硅的研磨率