刚摘得年度大奖的1200V/12mΩ SiC，我想介绍给你

在晶圆设计上通过优化JFET宽度、源极接触区宽度等关键参数，采用更小的元胞尺寸，结合瑞能先进的SiC晶圆减薄技术，显著提高了芯片单位面积的通流能力。

工艺上持续优化CSL（电流扩展层）和外延层掺杂浓度、采用更薄的栅极氧化层结合栅氧氮化、沟道自对准等先进工艺，进一步降低导通电阻，在几乎不增加工艺制造成本的同时，带来极低的Ron,sp(比导通电阻率)。

瑞能SiC MOSFET的通态电阻随温度变化较小，在175℃结温时，导通阻抗仍可以保持在较低水平，该特性可以提升高温系统效率，降低器件选型余量，在较高应用环境温度下仍保持出色性能。

瑞能SiC MOSFET命名规则标注在15V门极驱动电压下的Rdson，提供在较低门极驱动电压下工作的可能性，更容易在传统设计中直接导入替换，并且SiC MOSFET产品经过了门极-15V~+24V偏压的HTGB可靠性测试，对应更大的门极驱动电压范围以及同类产品中最优秀的门极寿命(TDDB)表现

650V G6产品着重优化了肖特基接触与PN结面积比例，有着超低Vf（标准值1.26V），而且通过外延掺杂浓度的优化以及晶圆减薄，得到了极低的通态阻抗。

经过优化设计的P+区域更好地保护了肖特基接触部分。优化后的JTE结构增强了边缘末端区域得到更高的器件耐压 BV > 800V 和超低的反向漏流Ir。实现了产品性能和可靠性的完美结合。

包装形式：未切割的整片晶圆

包装形式：晶圆切割后附在蓝膜(UV膜）

包装形式：晶圆切割后附在蓝膜(UV膜）带框

包装形式：晶圆切割后华夫盒包装