碳化硅材料及装备供应商卓远半导体获2400万元战略投资

12月4日,江苏卓远半导体有限公司宣布获得凯得粤豪2400万元的财务投资。

资料显示,卓远半导体成立于2018年,专注于第三代宽禁带半导体晶体材料及其装备的研发生产与制造,拥有自主知识产权的SiC衬底材料制备及芯片设计核心技术,自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破了“瓦森纳协定”对我国半导体行业的技术封锁。

碳化硅材料及装备供应商卓远半导体获2400万元战略投资

卓远半导体金刚石MPCVD基片技术国内领先,碳化硅衬底技术国内前列。2022年,公司研发并投入量产了第四代半导体材料金刚石,15mm×15mm的小小晶体,因其材料特性,被广泛应用于光学、航空航天等高科技制造业应用领域,目前在MPCVD金刚石设备及基片市场占有率达35%,是国内MPCVD先进材料设备龙头企业。

卓远半导体现有职工100余名,其中科研技术生产人员 26人,博士7人,队伍力量雄厚,形成“以技术人才带动产业发展”的优势格局。同时,卓远组建了江苏省外国专家工作室、南通市第三代半导体工程技术研究中心,牵头及参与起草制定了2项国家标准,申请专利45件,授权发明专利12件,获得国家级和省级荣誉七项。

今年5月底,卓远半导体金刚石基片产线项目入驻二期,二期厂区占地面积约15亩。规划有研发检测中心、中试车间及生产车间,并且配备专业检测及实验设备,主要产品为MPCVD金刚石装备及金刚石基片、SiC长晶设备及SiC衬底片等。

该项目旨在通过垂直整合制造模式,加快设计、制造共同迭代,并与上下游产业链联动发展,推动先进技术工艺的开发,形成具有自主知识产权的半导体装备及材料核心技术,为国内SiC市场带来更多的机遇。

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碳化硅材料及装备供应商卓远半导体获2400万元战略投资

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