Nexperia 针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型 SMD 封装 CCPAK 的 GaN FET

经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia 在提供大规模、高质量的铜夹片 SMD 封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案 CCPAK 应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia 对此感到非常自豪。GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用 CCPAK1212i 顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了 Nexperia 为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia 的创新型 CCPAK 封装采用了 Nexperia 成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET 提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB 的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅 MOSFET 驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia 的 GaN 技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约 24%。此外，器件的 R_DS(on) 在 25℃ 时仅为 33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效的体二极管导通压降。

Nexperia 副总裁兼 GaN FET 业务部总经理 Carlos Castro 表示：