碳化硅外延市场抢跑，国盛/晶睿/江丰宣布最新进展

近日电科材料宣布，下属国盛公司大尺寸硅外延材料产业化项目第一枚碳化硅外延产品诞生，标志着电科材料碳化硅产业化建设迎来了新阶段。

项目现场厂房内，百余名外延设备保障工程师、测试仪器工程师、工艺研发工程师、厂家调试工程师、厂务运行人员与施工方，共同见证了首炉下线的这一重要时刻，首枚碳化硅外延产品诞生，预示着后续新品全尺寸检测评估，向客户提供验证样片工作正式启动，国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。

中电科半导体材料有限公司一直在积极推进碳化硅外延产业发展，2021年9月，其下属公司南京国盛电子有限公司的“外延材料产业基地项目”签约落户江宁开发区，据悉，该项目占地面积约10万平方米，分两期实施，其中一期将建设成立第三代化合物外延材料等。

据了解，国盛电子前身为中电科55所材料研究室外延组，从上世纪八十年代开始从事外延材料的研发、产业化工作，在2003年成立公司，专业从事硅材料、碳化硅、氮化镓等材料的研发、生产。

2023年6月，“外延材料产业基地项目”实现首批设备正式入场，建设了外延主厂房、晶体加工厂房、综合试验楼、动力站等相关建筑。

2023年11月10日，国盛电子的外延材料产业基地宣布正式投产运行，据介绍，该项目一期投资19.3亿元，年产8-12英寸硅外延片456万片，年产6-8英寸化合物外延片12.6万片。

晶睿电子碳化硅外延送样验证

近期在碳化硅外延上取得进展的不止国盛电子一家，就在前几日，民德电子回答投资者提问，公司参股的浙江晶睿电子科技有限公司碳化硅外延片产品已有明确的意向客户，目前处于给客户送样及验证阶段。

资料显示，晶睿电子成立于2020年5月，是一家半导体制造企业，主要进行高端电子级半导体材料、用于智能感知系统的特种硅片、以及第三代化合物半导体外延片的研发和制造。

晶睿电子产品包括在硅抛光片上的外延，器件工艺过程中的埋层外延，以及功率器件Cool MOS中的外延以及传感器用的硅片等，同时从事硅基GaN和SiC外延的研发和小批量生产。

今年1月，晶睿电子获得古道资本的投资，古道资本消息显示， 晶睿电子由国内最早从事硅片国产化技术攻关的技术团队所创立，创始人张峰博士是国内硅片领域著名的科学家，曾荣获国家发明一等奖，承担国家级重大专项项目，企业团队从事半导体材料行业20余年。

江丰电子碳化硅外延产线已具备生产能力

无独有偶，12月6日，江丰电子也在投资者互动平台表示，公司通过控股子公司从事研发、生产和销售碳化硅半导体外延晶片业务，目前相关产线正在积极推进建设中，已具备一定的生产能力。

资料显示，江丰电子创建于2005年，专业从事超大规模集成电路制造用超高纯金属材料及溅射靶材的研发生产，公司已于2017年6月在深交所成功上市。今年9月25日，江丰电子携SiC外延片等多种产品亮相北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会，引发了外界对其SiC外延片业务进展的持续关注。

今年2月，江丰电子控股子公司宁波江丰同芯半导体材料（简称“江丰同芯”）举行了开业暨投产仪式，目前江丰同芯已搭建完成国内首条具备世界先进水平、自主化设计的第三代半导体功率器件模组核心材料制造生产线，成为该领域拥有独立知识产权、工艺技术先进、材料规格齐全、产线自动化的国产化覆铜陶瓷基板大型生产基地，覆铜陶瓷基板作为用于第三代半导体封测的关键材料，市场整体一直处于供不应求状态。

此外，江丰电子还在今年3月投资了六方半导体，官网资料显示，六方半导体致力于半导体新材料研发，聚焦SiC涂层技术的研发及其在半导体产业中的应用，公司主要产品为LED芯片外延用SiC涂层基座、第三代半导体外延基座和组件等。

既通过控股子公司进行自主研发，又投资相关厂商，江丰电子正在通过多种手段入局SiC领域，为产业未来的爆发提前准备技术和产能。

碳化硅外延处于产业链中间环节，有着承上启下的作用，所有的器件基本上都需要在外延上实现，因此碳化硅外延的质量对器件的性能和良率有着决定性的影响，目前国内碳化硅产能约为45万片/年，预计到2025年，将扩大至300万片，从市场需求来看，碳化硅外延将长期处于供不应求的状态，相关企业将迎来发展机遇。

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