年交易金额超2亿，世纪金芯与湖南S公司签订SiC衬底合作协议

近日，世纪金芯宣布与湖南S公司已正式签订战略合作协议。根据协议约定，双方将围绕SiC单晶衬底在业务和技术方面推行战略合作，年合作不低于5w片，交易金额2个亿以上。

资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，是一家致力于第三代半导体碳化硅功能材料研发与生产的技术企业；湖南S公司成立时就专业从事化合物半导体制造，拥有中国第一家6寸化合物半导体晶圆代工厂，服务于全球各地的微电子及光电市场。

此次世纪金芯与湖南S公司的强强联合，代表双方将共同应对多元化的市场需求，在业务和技术方面推行深度战略合作，以前瞻性的眼光谋篇布局，向世界级半导体厂商目标全力迈进！

据了解，2022年9月9日，世纪金芯位于合肥高新区的年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目正式投产，标志着公司产业链源头自主可控能力升级，公司产业化进程迈入新篇章。在2022年第四季度，世纪金芯碳化硅单晶衬底产品已开始对下游客户批量交付。

2023年10月10日，世纪金芯与包头市政府签署“年产70万片6-8英寸碳化硅单晶衬底项目”战略合作协议。

据悉，该项目由包头·北京科创基地协助导入，计划落地包头青山区装备制造产业园区，总投资34.57亿元，建设周期3年，将建成年产70万片6-8英寸单晶衬底生产线，同时包含碳化硅单晶长晶和切磨抛加工与检测等，如今工厂正在紧张建设中，预计2024年底一期项目正式投产。

世纪金光扩张碳化硅全产业链产能

世纪金芯的母公司北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月24日，前身为中原半导体研究所，始建于1970年，至今有50多年历史积淀， 专注于战略新兴半导体的研发与生产，经过多年的发展，已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。

世纪金光在2015年就开始SiC全产业链生产线建设，其在北京建设的“宽禁带半导体功能材料与功率器件产业化项目”，包括了年产4英寸SiC单晶片13800片、6英寸SiC单晶片20700片生产线；相应规模的SiC和GaN外延片；SiC功率器件SBD 900万只、SiC MOSFET 300万只生产线；SiC功率模块30万套生产线；GaN功率器件323万只生产线。

2018年2月1日，世纪金光的6英寸碳化硅器件生产线成功通线，是我国首次实现碳化硅全产业链贯通。

2023年3月20日，世纪金光发布消息称，其在北京的6英寸碳化硅晶圆线将升级改造，并对外发布相关采购需求，涉及了光刻、测试、退火、去胶、减薄、氧化等各类设备达36台套，其意显示是要扩大功率半导体器件的产能。

值得注意的是，早在2021年7月，世纪金光就与浙江省金华市金义新区正式签约，将投资35亿元，建设年产22万片6-8英寸碳化硅芯片生产线，项目分三期完成建设，全部达产后可实现年产值约40亿元，目前已投产。

从发展规划来看，世纪金光已形成了北京总部基地碳化硅器件模块、合肥包头碳化硅衬底、浙江金华碳化硅芯片的全产业链产能布局，将持续加强在碳化硅产业发展中的领先优势。

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原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：年交易金额超2亿，世纪金芯与湖南S公司签订SiC衬底合作协议