• 意法半导体×致瞻科技：SiC赋能新能源汽车空调压缩机设计创新

• 博蓝特：SiC衬底项目计划落地

• 森未科技×东方自控：合作国产功率器件开发与应用

• 飞锃半导体：1200VSiC器件累计出货2400万颗

• 三星电子×SK海力士主导：韩国建设世界最大半导体产业集群

• 新思科技：350亿美元收购Ansys
  

• 瞻芯电子：推出第二代650V车规级SiC MOSFET助力高效高密应用

1月18日，意法半导体在官微宣布，公司与聚焦于SiC半导体功率模块和先进力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作，为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代SiC MOSFET技术。

根据意法半导体的披露，采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬两季的效果尤为明显。

致瞻科技是目前全球唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基于碳化硅方案的空调压缩机控制器的供应商，致瞻科技官微2323年11月25日公布，第20000台碳化硅电动压缩机控制器下线，出货量可观。

致瞻科技的电动汽车空调压缩机控制器选用了意法半导体第三代1200V SiC MOSFET技术，结合致瞻科技专有的散热解决方案和热保护设计，可以极大提高电动汽车的热管理能效，提升空调压缩机的NVH性能（噪音，震动和声震粗糙度），推动电动压缩机系统小型化，并具备更强的持续降本能力。在保证夏冬季同样的续航里程情况下，该方案可以帮助整车厂大幅节省单车总系统成本。

1月18日，据丹阳延陵镇官微消息，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司与江苏省丹阳市延陵镇就第三代半导体碳化硅衬底项目落地延陵镇进行了深度洽谈，博蓝特实地考察了延陵镇凤凰工业园区的2宗地块，计划在延陵镇投资10亿元建设年产25万片的6-8英寸碳化硅衬底，该项目建成后预计可实现年销售收入15亿元。

浙江博蓝特半导体科技股份有限公司成立于2012年，致力于GaN基LED芯片（图形化）衬底、第三代半导体材料碳化硅、MEMS智能传感器的研发及产业化，与中南大学、合肥工业大学、中科院物理所等科研院校合作，共同致力于科技成果产业化。此前2023年4月，博蓝特已与延陵镇签订了战略合作，此次实地考察将进一步推动该碳化硅衬底项目的落地。（来源：丹阳延陵镇官微）

1月17日，成都森未科技与东方电气自动控制工程有限公司举行国产功率器件开发与应用合作签约仪式，双方将共同构建国产IGBT功率半导体行业发展新蓝图。

根据协议，双方将充分发挥各自优势，进一步深化在国产功率器件开发与应用领域的合作，推动项目建设、提升双方实力，共后为推动高质量发展蓄势赋能。森未科技将持续为东方自控提供核心芯片、器件、方案的设计和制造服务。

成都森未科技是一家由清华大学和中国科学院博士团队创立的高科技企业，公司技术能力覆盖从功率半导体芯片设计、加工、测试到应用的全过程。目前公司成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，IGBT产品覆盖600V-1700V的电压等级，单颗芯片电流可达200A，已成功应用于特种电源、变频器光伏、储能、充电桩、新能源车等领域。（来源：森未半导体官微）

1月17日，飞锃半导体官微表示，作为国内当前为数不多可大批量出货SiC Mos产品的碳化硅器件供应商，截止到2023年飞锃半导体的1200V碳化硅器件产品累计出货2400万颗，产品和服务在新能源汽车、消费、工业市场全面开花。

飞锃半导体表示，在2023年期间，成功推出了第三代SiC MOSFET的系列产品，在车规级碳化硅产品系列包含1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ等产品，通过了AEC-Q101可靠性验证等。

同时在SiC MOSFET方面，飞锃也正在进行客户送样和验证工作，不断提升产品的可靠性和性能，为实现国产SiC芯片的上车能力做出努力。

在芯片制作方面，我们与晶圆代工厂积塔半导体合作，积塔半导体是国内最早量产6英寸碳化硅器件的代工厂，通过他们的制造能力和资源，实现产品的生产和高质量交付。

飞锃半导体表示，主要目标是扩大SiC MOSFET的应用市场，并启动SiC MOSFET在车载领域的项目。（来源：飞锃半导体官微）

1月16日，据韩国产业部声明，韩国计划要在首尔附近建设世界上最大的半导体产业集群，该计划将由三星电子和SK海力士主导，预计到2047年将投资总计622万亿韩元（4730亿美元），建立16座芯片工厂。

韩国贸易、工业和能源部称，该产业集群将占地2100万平方米，横跨京畿道南部的多个城市，包括平泽、华城、龙仁、利川、安城、城南和水原。到2030年，该地区的晶圆月产能将达到770万片。

目前，该产业集群拥有19家生产工厂和2家研究设施。根据该计划，到2047年，该产业集群将新增13家生产工厂和3家研究设施。

具体来说，三星电子计划为该项目投资500万亿韩元，其中包括投资360万亿韩元在首尔以南33公里的龙仁新建6家晶圆厂；投资120万亿韩元在首尔以南54公里的平泽新建3家晶圆厂；投资20万亿韩元在器兴新建3家研究设施。

除了三星电子外，韩国第二大芯片制造商SK海力士将投入122万亿韩元，在龙仁新建4家晶圆厂。（来源：国芯网）

1月16日，EDA及半导体IP大厂新思科技和工业软件大厂Ansys正式宣布，双方已经就新思科技收购Ansys事宜达成了最终协议。

根据该协议条款，Ansys股东每股Ansys股票将获得197.00美元现金和0.3450股新思科技普通股，按2023年12月21日新思科技普通股的收盘价计算，该收购总价值约为350亿美元。新思科技全球领先的芯片电子设计自动化 (EDA) 与Ansys广泛的仿真分析产品组合强强联手，将打造一个从芯片到系统设计解决方案领域的全球领导者。

新思科技全球领先的EDA技术与Ansys成熟的仿真和分析能力相结合，将在核心EDA领域和极具潜力的新兴增长领域（如汽车、航空航天和工业智造等）进一步加强新思科技“从芯片到系统”发展战略，而Ansys在这些领域拥有成熟的业务布局和成功的市场经验。

2023年8月30日，新思科技官网宣布，已经完成对汽车控制单元软件测试和验证解决方案领导者PikeTec GmbH的收购。新思科技表示，很多汽车制造商都采用了PikeTec的软件测试和验证解决方案，以应对软件定义汽车在发展过程中，软件功能和复杂性急剧增加的问题。（来源：新思科技官微）

近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。

瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子自建的SiC晶圆厂来研发和生产的，其首款产品于2023年9月份发布量产，该系列产品的驱动电压(Vgs)为15-18V，应用的兼容性更好。

更为关键的是，第二代SiC MOSFET通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，能显著降低开关损耗，提升系统效率。（来源：瞻芯电子官微）

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