清纯半导体推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

随着碳化硅（SiC）材料质量和制造技术的不断提升，大电流、低导通电阻SiC功率芯片得以实现，同时也将进一步简化功率模块封装，加速SiC在新能源汽车等领域的应用。本产品通过结构、工艺的优化设计，显著降低了部分关键缺陷对性能的影响；同时采用了更低的比电阻设计技术，降低了同电阻下的芯片面积，从而使成品率降低趋势得以控制，实现了大电流、低电阻芯片的量产。另一方面，SiC MOSFET在大功率应用中，容易受到各类干扰的影响而发生栅极的误开启，如上下管之间电容自充电引起的寄生开启（Parasitic Turn-on），以及不同桥臂之间的串扰等。本产品通过对栅极微结构布局的优化，一方面提升了输入电容C_iss与转移电容C_rss的比值，另一方面提高了阈值电压，从而实现对串扰的抑制。如图4所示，产品在800V电压下的C_iss/C_rss的电容比达到580以上。图5比较了器件阈值电压和温度的关系，在25℃下阈值电压达到3.2V，175℃下阈值电压高于2V。在应用方面，该芯片兼容18V与15V驱动电压，适应不同驱动电路的开发需求，方便对IGBT在各种应用的直接替代。

Fig 6. 双脉冲测试波形。

清纯半导体始终坚持技术引领，推出的系列碳化硅产品以优异的性能和高可靠性获得了广大用户的一致认可。目前，清纯半导体已在750V、1200V、1700V、2000V等电压平台上完成数十种碳化硅器件的开发与量产，并布局了完善的产能保障体系和严格的质量管理体系，清纯半导体将在中国碳化硅原创技术策源地和领先供应商的道路上不断取得新的突破。