1月25日,迪斯科中国官微消息,为针对Si以及SiC等8英寸以下的晶圆,开发了双主轴全自动研磨机「DFG8541」。
该机型为畅销研磨机「DFG8540」的升级机型,实现了更为稳定的高产能减薄加工。同时,与DFG8540相比,进一步完善了清洗结构,提高了维护保养便捷性,降低了压缩空气使用量,减少了占地面积。
晶圆减薄工艺的作用是对已完成功能的晶圆(主要是硅晶片)的背面基体材料进行磨削,去掉一定厚度的材料。有利于后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度,散热性和尺寸要求。
晶圆减薄工艺流程:
晶圆进料检验—>贴膜—>研磨—>撕片,其中研磨部分是将装有已贴膜好的晶圆放进研磨机,它将自动取片放入加片台(Chuck table),然后进行粗磨和精磨,已达到研磨厚度和表面粗糙度的要求。
研磨后的晶圆(来源:宜锦科技)
晶圆减薄后对芯片的优点:
1)散热效率显著提高,随着芯片结构越来越复杂,集成度越来越高,晶体管数量急剧增加,散热已逐渐称为影响芯片性能和寿命的关键因素。薄的芯片更有利于热量从衬底导出。
2)减小芯片封装体积。微电子产品日益向轻薄短小的方向发展,厚度的减小也相应地减小了芯片体积。
3)减少芯片内部应力。芯片厚度越厚芯片工作过程中由于热量的产生,使得芯片背面产生内应力。芯片热量升高,基体层之间的热差异性加剧,加大了芯片内应力,较大的内应力使芯片产生破裂。
4)提高电气性能。晶圆厚度越薄背面镀金使地平面越近,器件高频性能越好。
5)提高划片加工成品率。减薄硅片可以减轻封装划片时的加工量,避免划片中产生崩边、崩角等缺陷,降低芯片破损概率等。
迪斯科是一家「半导体制造设备生产商」,提供用于制造半导体和电子零件的精密加工设备(如切割机和研磨机)、以及安装在设备上的精密加工工具。
来源:迪斯科中国官微
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会议议题
序号 |
暂定议题 |
拟邀请企业 |
1 |
8英寸碳化硅衬底产业化进展 |
拟邀请碳化硅衬底企业/高校研究所 |
2 |
大尺寸碳化硅单晶生长技术痛点解析 |
拟邀请碳化硅单晶制备企业/高校研究所 |
3 |
新一代切片机“破局”8英寸碳化硅 |
拟邀请切割设备企业/高校研究所 |
4 |
激光技术在碳化硅切割及划片上的应用 |
拟邀请激光企业/高校研究所 |
5 |
液相法制备碳化硅技术 |
拟邀请碳化硅企业/高校研究所 |
6 |
国产MBE设备应用及发展情况 |
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所 |
7 |
SiC MOS器件结构设计解决方案 |
拟邀请碳化硅器件企业/高校研究所 |
8 |
车用碳化硅加工工艺与要点研究 |
拟邀请碳化硅加工企业/高校研究所 |
9 |
利用碳化钽的碳化硅单晶生长技术 |
拟邀请碳化硅企业/高校研究所 |
10 |
碳化硅衬底研磨抛光工艺及耗材技术 |
拟邀请研磨抛光设备企业/高校研究所 |
11 |
适用于8英寸碳化硅的先进切割工艺 |
拟邀请切割设备企业/高校研究所 |
12 |
化学机械抛光在碳化硅上的反应机理 |
拟邀请抛光设备企业/高校研究所 |
13 |
碳化硅衬底及外延缺陷检测技术 |
拟邀请检测设备企业/高校研究所 |
14 |
8英寸碳化硅外延材料生长核心工艺与关键装备 |
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所 |
15 |
外延掺杂技术的优化与改进 |
拟邀请碳化硅外延企业/高校研究所 |
16 |
8英寸碳化硅的氧化工艺技术 |
拟邀请碳化硅企业/高校研究所 |
17 |
碳化硅离子注入设备技术 |
拟邀请离子注入企业/高校研究所 |
18 |
高纯度碳化硅粉末制备碳化硅晶体 |
拟邀请激光企业/高校研究所 |
19 |
碳化硅先进清洗技术 |
拟邀请清洗设备企业/高校研究所 |
20 |
碳化硅关键装备的现状及国产化思考 |
拟邀请碳化硅设备企业/高校研究所 |
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02
拟邀企业
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高纯碳粉、硅粉、碳化硅粉末、坩埚、籽晶等材料企业; -
晶锭、衬底、外延、晶圆等产品企业;
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碳化硅晶体、外延生长等设备企业;
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金刚石线切割、砂浆线切割、激光切割等切割设备企业;
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碳化硅磨削、研磨、抛光和清洗及耗材等企业;
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检测、退火、减薄、沉积、离子注入等其他设备企业;
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高校、科研院所、行业机构等;
03
报名方式
方式1:请加微信并发名片报名
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04
收费标准
付款时间 |
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3个人及以上(单价) |
4月30日前 |
2600/人 |
2500/人 |
6月2日前 |
2700/人 |
2600/人 |
7月2日前 |
2800/人 |
2700/人 |
现场付款 |
3000/人 |
2800/人 |
★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等,但不包括住宿。
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赞助方案
原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):DISCO推出新型自动研磨机,可加工8英寸SiC晶圆
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