三安半导体碳化硅衬底项目首栋楼体封顶

从一纸蓝图到品质建筑

从一砖一瓦到灯火可期

卓越品质源于细节打磨

更源自匠心坚守

2024年1月23日

华西公司三安半导体碳化硅衬底项目B1栋

顺利封顶！

从一砖一瓦到匠心打磨丨三安半导体项目见证品质速度齐并进！

项目概况

从一砖一瓦到匠心打磨丨三安半导体项目见证品质速度齐并进！

此项目总体分为两个项目标段，总面积约5.8万㎡，合同工期仅为8个月，项目于2023年11月15日正式进场施工。

重庆三安半导体碳化硅衬底项目（生活服务设施区）总建筑面积：2.08万㎡，建筑最高高度：26.20米，B1、B2栋6层框架结构，B3栋为7层框架结构，B4栋6层框剪结构。

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（生活服务设施区）总建筑面积：3.7万㎡，建筑最高高度41.10米，A1、A2栋6层框架结构，A3、A4栋12层框剪结构，C1栋3层框架结构。

据悉，该项目业主方为“三安意法半导体(重庆)有限公司”，是我国芯片行业第一个8英寸衬底项目，不仅是建投六建进驻三安光电公司的首个项目，也是闯进重庆市高新区市场的首个项目。一方面为深入挖掘三安光电公司体系内的其他项目奠定基础，也为拓展其他同类型项目提供了借鉴；另一方面为进一步打开重庆市高新区市场树立了品牌，有助于进一步提升公司的市场竞争力。

项目建成后将成为重庆市半导体行业发展的新标杆、新名片，进一步推动中国半导体产业的发展。

匠心筑造，品质速度齐并进

从2023年11月15日正式开工，到2024年1月23日完成浇筑，三安半导体碳化硅衬底项目首栋楼体封顶，2个月的日月兼程，建投六建的建设者们跨越严寒，攻坚克难，在春节前夕，为大家送上2024“开门红”。

该项目因回填土区地处剥蚀浅丘地貌，多工序交叉作业，协调难度大，且要求与安意法项目同时竣工。项目部果断采取有代表性的试验桩使用以点推面的工作方法，严格跟踪和控制沉桩质量，在现场多工序交叉作业，协调难度大的情况下高质量保障施工要求，使用高效机制的方法管理班组，杜绝了返工和施工交叉混乱现象，为项目顺利封顶打下了坚实的基础。

奋力冲刺，白天黑夜不停歇