三安半导体垂直整合SiC赋能电力电子发展，具备8寸晶锭、衬底、外延片生产能力

湖南三安半导体有限责任公司成立于2020年，是三安光电（600703）旗下的半导体全资子公司，主要专注于碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物宽禁带半导体的研发和产业化，涵盖从长晶、衬底制作、外延生长、芯片制备到封装的完整产业链。该公司的产品已广泛应用于新能源汽车、可再生能源和不间断电源等多个新兴领域。

在产品方面，碳化硅系列产品主要面向工业级和车规级应用。

SiC SBD已推出G3/G4/G5系列产品，被广泛应用于光伏逆变器、充电桩、电源以及新能源汽车等高可靠性领域，累计出货量超过2亿颗；

SiC MOSFET已推出针对新能源汽车主驱的1200V 16mΩ车规级产品，目前正进行模块验证；

同时还推出了针对光伏领域的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET，已在重点客户中实现批量应用。

湖南三安半导体已具备8寸碳化硅晶锭、衬底、外延片的生产能力。

在产能方面，湖南三安半导体项目总投资额为160亿元，项目达产后，配套产能约为36万片/年，是国内首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，包括长晶、衬底、外延、芯片。一期已全面投产，产能为2万片/月；二期工程于2022年7月开始动工，预计2024年一季度将贯通，全面达产后将实现50万片/年6寸碳化硅晶圆产能。

此外，2023年6月7日，三安光电与意法半导体宣布合资建造一座8寸碳化硅外延、芯片代工厂，总投资32亿美元，预计于2025年完成阶段性建设并逐步投产，规划达产后将实现每周生产8寸碳化硅晶圆10000片，产品将独家销售给ST或其指定的实体。

近日，三安半导体以"SiC垂直整合赋能电力电子发展"为主题，全面展示了8吋碳化硅衬底、外延，以及新技术平台的多系列产品，如1200V 16mΩ/32mR/75mΩ及1700V 1Ω SiC MOSFET等，三安的碳化硅功率芯片/器件注重效率、可靠性和性能，为DC-DC转换器、电机驱动和可再生能源等应用提供独特的优势。