■ Hitachi Energy
创新技术突破将提高芯片生产能力，并提供结构更为复杂的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
日前，日立能源成功推出300毫米（mm）晶圆，在功率半导体领域实现了重要的技术突破。这一创新成果提升了芯片的生产能力，并实现结构更加复杂的1200V IGBT，该半导体器件能够帮助大功率应用快速切换电源。IGBT的应用包括变频器（VFD）、不间断供电（UPS）系统、电动汽车、火车和空调等多个领域。
▲ 日立能源应用于IGBT功率半导体器件的300毫米晶圆
与现有的200mm晶圆相比，更大的晶圆具备显著的优势，例如每块300mm晶圆的集成电路数量可增加一倍以上（2.4倍），从而大幅降低成本。该产品还采用了最新一代的精密沟槽型IGBT设计，实现了高效的功率转换和控制，同时更大限度地减少操作过程中的功率损耗。
开发300mm晶圆对于加速能源转型至关重要，能够有效促进可再生能源和工业领域对资源的高效利用。
在日立能源，半导体专家们与跨职能团队紧密合作，涵盖产品管理、业务开发、研发和芯片代工合作伙伴等多个领域，共同实现了这一具有里程碑意义的技术突破。
日立能源致力于突破技术界限，探索全新解决方案，以加速迈向更高效和更可持续的未来。全新300mm IGBT产品彰显了公司在不断变革的能源领域引领社会创新的承诺。
原文始发于微信公众号（日立能源）：日立能源推出应用于IGBT的300毫米晶圆，加速半导体技术发展
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