CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列适用于最高1500 VDC的高直流电压母线系统。与1700V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
除了2000V CoolSiC™ MOSFET之外，英飞凌很快还将推出配套的CoolSiC™二极管：首先将于2024年第三季度推出采用TO-247PLUS 4引脚封装的2000V二极管产品组合，随后将于2024年第四季度推出采用TO-247-2封装的2000V CoolSiC™二极管产品组合。这些二极管非常适合太阳能应用。此外，英飞凌还提供与之匹配的栅极驱动器产品组合。
CoolSiC™ MOSFET 2000V产品系列现已上市。另外，英飞凌还提供相应的评估板EVAL-COOLSIC-2KVHCC。开发者可以将该评估板作为一个精确的通用测试平台，通过双脉冲或连续PWM操作来评估所有CoolSiC™ MOSFET和2000V二极管以及EiceDRIVER™紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx产品系列。
原文始发于微信公众号（英飞凌工业半导体）：英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
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