新品发布 | 英飞凌OptiMOS™ 6 200 V MOSFET

OptiMOS™ 6 200 V MOSFET的沟槽技术，通过降低了R_DS（on）（漏源电阻），有效减少了传导损耗，使其在电动工具的应用中实现了更高效的运行。这项技术不仅优化了开关损耗，降低了电磁干扰（EMI），而且提供了更好的并联运作能力，这得益于它窄的栅极阈值电压范围和降低的跨导效果。其软二极管特性和低的反向恢复电荷，加上线性输出电容的改善，这些都有助于在不同的操作条件下提升系统效率。

这些特性对于任何需要高效能源交换的应用程序，如服务器、通信、储能和太阳能系统等，都是至关重要的。此外，OptiMOS™ 6 200 V更宽的安全工作区（SOA）以及更低的R_DS（on）的结合，使得它成为静态交换应用（如电池管理系统）的理想选择。

与OptiMOS™ 3相比，OptiMOS™ 6 200 V的性能有了质的飞跃，R_DS（on）降低了42%，大大减少了传导损耗并提升了输出功率。在二极管的软切换特性上，OptiMOS™ 6 200 V的表现是OptiMOS™ 3的三倍以上，加上89%的Q_rr（反向恢复电荷）降低，使得开关和EMI性能都得到了显著提升。寄生电容（Coss 和 Crss）的线性度改进，减少了开关时的振荡和电压过冲，紧密的V _GS(th) 分布和更低的跨导有助于并联MOSFET的均衡流动，实现更均匀的温度分布，同时减少了并联MOSFET的需要。

新的OptiMOS™ 6 200 V产品系列不仅在技术性能上设立了新的行业标准，也因其提高的功率密度、效率和系统可靠性，为客户带来了实质性的利益。随着这些创新产品的推出，我们可以期待在电力电子领域的更多应用突破和进步。

OptiMOS™ 6 200 V 产品采用多种封装，适合各种应用。这一广泛的封装产品组合包括 PQFN 3.3.x3.3、SuperSO8 5x6、TOLL、TO-220、D²PAK-7P 以及 D²PAK-3P。现已开放订购

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