金刚石半导体供应商Diamfab 宣布获得 870 万欧元融资

2024 年 3 月 28 日，半导体金刚石供应商Diamfab宣布首轮融资870万欧元，本轮融资来自由 Bpifrance 代表法国政府管理科技种子基金 Asterion Ventures、Kreaxi 与 Avenir Industrie Auvergne-Rhône-Alpes 地区基金、Better Angle、Hello Tomorrow和Grenoble Alpes Métropole。Diamfab为法国在金刚石半导体领域的新领导者，致力于使半导体金刚石达到工业所需的发展水平。第一轮融资将使 Diamfab 能够建立一条试验线，以实现其技术的预工业化，加速其开发，从而满足对金刚石半导体不断增长的需求。

Diamfab 总部位于法国格勒诺布尔，是 CNRS 实验室 Institut Néel 的衍生公司，是 30 年来合成金刚石生长研发的成果。Diamfab 项目最初在 SATT Linksium Grenoble Alpes 内孵化，最终于 2019 年 3 月成立了该公司，该公司由两位纳米电子学博士、半导体金刚石领域公认的研究人员 Gauthier Chicot 和 Khaled Driche 创立。

为了满足汽车、可再生能源和量子行业的半导体和功率元件市场的需求，Diamfab在人造金刚石外延和掺杂领域开发了突破性技术。受到四项专利的保护，Diamfab专业知识在于薄金刚石层的生长和掺杂，以及金刚石电子元件的设计。

虽然电力电子行业传统上使用硅，但电动汽车的出现加速了新型半导体材料的采用，这些材料提供了更优越的性能。Diamfab 的技术为被称为"终极半导体"的金刚石的使用铺平了道路。他们开发的组件更轻、更耐高温、更节能，使其成为各种应用的理想选择，包括电动汽车、工业和配电网络中的电力电子器件。

功率半导体控制和调节电流，是日益电动经济发展的驱动力，在系统效率、功率和紧凑性方面至关重要。功率半导体市场预计到 2030 年将达到数百亿美元，目前功率器件所采用的主要材料仍然是硅，近年来，被称为"宽带隙"半导体的新型替代材料已经出现并占据了巨大的市场份额。金刚石是一种"超宽带隙"半导体，被公认为终极功率半导体，其Baliga品质因数比SiC高40倍，比GaN高100倍。毫无疑问，金刚石将成为新一代电源管理电子元件的首选材料。

自 2019 年成立以来，Diamfab 已经建立了一个由国际合作伙伴和客户组成的生态系统，帮助开发该技术，其中包括 Soitec、Murata、STMicroElectronics、CEA 和 Schneider Electric。