4月3日，中锃半导体（深圳）有限公司中锃半导体完成数千万元人民币天使轮融资。本轮融资由国科京东方、国核曜能、望众投资等共同出资，将主要用于研发平台搭建、原型设备和核心工艺开发、持续吸纳优秀技术人才。
中锃半导体成立于2023年10月，聚焦于特色工艺领域的 “等离子体干法刻蚀设备（Plasma Dry Etch）”和“关键工艺解决方案”。
中锃半导体创始人兼CEO谭志明表示，公司目前正全力开发针对碳化硅材料的深刻蚀设备和工艺（Deep SiC Etch），用以支持沟槽栅（Trench-Gate）的实现和更广阔器件设计窗口。
功率半导体，又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的一类器件之一。功率半导体能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护、逆变（直流转交流）和整流（交流转直流）等作用。
而碳化硅作为一种宽禁带材料天然具有更高的耐压，用碳化硅制作的电力器件相对于传统硅基器件，可以以更高的频率和更宽的温度区域内处理高压电流。
在模组层面，碳化硅已经可以显著地降低损耗、重量和体积。为此，在未来能源技术变革当中，碳化硅材料将极具优势。
因此，目前在各类功率器件中，碳化硅功率器件作为一项先进的电力电子设备，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。
不过，目前影响碳化硅走向应用的重大限制之一是成本。
通过沟槽栅（Trench-Gate）技术，碳化硅产品可以缩小芯片的表面积，让单个晶圆能产出更多的芯片。因此，这项技术也成为产业界降成本的主要手段。
而除了成本考量之外，沟槽栅还可以避免寄生Jfet效应带来的额外内阻。比如，国外芯片厂商“英飞凌”就曾通过沟槽，来选择更好晶面来改善栅氧界面和提高器件性能等等。
因此，如何应对碳化硅仅次于金刚石的超高的硬度（莫氏硬度9.5）和材料特性，实现碳化硅深刻蚀（Deep SiC Etch）以高效地实现工艺的具体形貌要求，就成为产业界一个重大的难题。
在国内市场，目前产业界正处于碳化硅深刻蚀实现技术突破和量产的关键阶段，更需要本土的设备厂商提供更多特色工艺的支持，共同实现半导体技术上的“弯道超车”。
来源：36氪
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