芯联集成执行副总裁刘煊杰：

2024年将成为车载主驱大批量应用SiC元年

刘总在会议现场表示，2020年到2025年SiC器件的价格预计下降一半。降本主要来自于衬底、外延片的国产化，以及SiC器件量产工艺的成熟、8英寸产线带来的规模效应等。

同时，只有当SiC器件的成本降低到对应IGBT器件成本的2.5倍以下时，才是SiC器件大批量进入商业化应用的时点。预计2024年会是SiC器件大量使用到车载主驱逆变器的元年。

芯联集成为SiC业务制定了未来5年实现突破百亿元、达成全球市占率30%的近期目标。刘总表示，预计芯联集成2024年业务同比增长预计将超2023年4倍，2024年6英寸等效碳化硅产能超10000片/月，2027年超6万片/月，可满足供应超700万台新能源车。

长飞执行董事兼总裁庄丹：

我国拥有第三代化合物半导体的最大应用市场

“我国是全球最大的第三代化合物半导体应用市场，作为新质生产力的典型代表产业，发展第三代化合物半导体对于促进我国产业升级转型、提升国际竞争力意义重大。”4月9日，2024九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会开幕式现场，长飞光纤光缆股份有限公司执行董事兼总裁、长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）董事长庄丹在接受记者采访时说道。

作为第三代化合物半导体的典型代表，SiC凭借耐高温、耐高压、高频化、低损耗等独特的材料优势，其能够大幅提高器件的能源转换效率、减少能耗并降低系统成本。

庄丹介绍，SiC器件完美应用于新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域，逐步成为推动能源结构转型、加快新能源发展的重要支撑,以碳化硅为代表的第三代化合物半导体已成为我国“双碳”目标达成的必然要求。

“目前800V高压电动汽车完美解决了新能源汽车充电时间长、续航里程短的最大痛点，已成为新能源汽车发展的必然趋势，对于800V高压电动汽车SiC主驱芯片已成为刚需。”庄丹指出，SiC主驱芯片壁垒极高，目前国内已量产新能源主驱芯片基本完全来自进口，“突破卡脖子环节，发展以SiC为代表的第三代化合物半导体对我国新能源汽车产业自主可控和长远发展意义重大。”

据介绍，长飞先进半导体专注于碳化硅功率半导体产品的研发生产，打造了完整的650v-3300VSiC产品矩阵，实现了从光伏、储能、充电桩到新能源汽车等应用领域的全覆盖。

“在现有年产6万片碳化硅晶圆产能基础上，长飞先进半导体正稳步推进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地项目建设。”庄丹说，长飞先进武汉基地项目总投资200亿元，一期将于2025年建设完工，完工后将成为国内碳化硅产能前列，集产品设计、外延生长、晶圆制造、封装测试于一体，且全智能化的世界一流碳化硅器件制造标杆工厂。

除此之外，长飞先进半导体将在武汉基地建设国内前列、对标国际一流的化合物半导体创新中心，其在为长飞先进半导体后续发展提供强大的研发及技术支撑的同时，亦将推动国内碳化硅产业的快速发展。

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲：发布第三代半导体产业发展报告（2023）

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原文始发于微信公众号（碳化硅芯观察）：九峰山论坛｜会议首日SiC相关精彩观点汇览