IGBT不同结构对硅单晶衬底的选择

功率半导体器件对硅单晶衬底材料的厚度、晶向、尺寸、电阻率有一定的要求。为了提高器件的耐压，通常要求衬底材料具有较高的电阻率，且材料晶格结构完整无缺陷。由于电子迁移率大于空穴迁移率 (μn＞μp)，衬底材料的导电类型通常采用N型。对IGBT 而言，要求采用<100>晶向的硅单晶材料。在阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦功率半导体IGBT/SiC产业链交流群。

硅单晶主要以高纯度多晶硅为原料生产制成。按晶体生长方法的不同，硅单晶棒由多晶硅熔融后，经直拉法(Czochralski，CZ)和区熔法 (Floating Zone Melting，FZ)两种方法生长而成。直拉法通常采用水平磁场或垂直磁场等技术，制成磁控直拉单晶 (MCZ)，区熔法则分为水平区熔法和悬浮区熔法。

长按识别二维码关注公众号，点击下方菜单栏左侧“微信群”，申请加入群聊

• 主机厂、汽车零部件、充电桩、光伏逆变器、 风力发电机、 变频家电、光通信、工业控制等终端企业；
• IDM、功率半导体器件、晶圆代工、衬底及外延等产品企业；
• 陶瓷衬板(DBC、AMB)、键合丝、散热基板(铜、铝碳化硅AlSiC)、硅凝胶、焊料/焊片、烧结银、散热器、外壳工程塑料(PPS、PBT、高温尼龙）、PIN针、清洗剂等材料企业；
• 贴片机/固晶机、清洗设备、超声波焊接、点/灌胶机、垂直固化炉、真空回流焊炉、X-ray、超声波扫描设备、动静态测试机、银烧结设备、测试设备、电镀等设备企业；

• 高校、科研院所、行业机构等；

方式1：请加微信并发名片报名

★费用包括会议门票、全套会议资料、午餐、茶歇等，但不包括住宿。

点击阅读原文，即可在线报名！

原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）：IGBT不同结构对硅单晶衬底的选择