1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET 高效提升储能电站辅助电源性能

图1 储能电站的辅助电源设备应用场景

本文以瑶芯的一款1700V 1000mΩ碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH为例，重点阐述了其高压、高效率的特性，非常适合用在储能电站的辅助电源系统中，为大家设计类似项目提供了一个较好的解决方案。

储能电站的辅助电源输入工作电压通常为150VDC~700VDC，而瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH的超高漏源电压（VDS）高达1700V，具有较高的耐压性，可有效减少因电压波动引发的故障风险，确保辅助电源在极端高压环境下仍能稳定工作。这一高耐压特性不仅增强了辅助电源的运行稳定性，还大大提高了储能电站的安全系数。

辅助电源作为关键的供电模块，其转换效率的高低直接关系到整体设备的运行效率。在设备设计之初，如何选择合适的功率器件来支持高效转化显得尤为重要。而碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH可以满足这种设计需求，在18V的栅源电压测试条件下，通态电阻典型值为1000mΩ，具备低通态电阻特性。因通态电阻是功率器件在工作时内部消耗功率的关键因素，低通态电阻意味着更少的内部功率消耗，可以支持碳化硅功率MOSFET输出更大的外部功率，提高能量转换效率，为设备提供更为稳定、高效的电力支持。

瑶芯碳化硅功率MOSFET AKCK7M1K0WMH提供TO-247-3L插件封装、TO-263-7L贴片封装两种规格供用户选择。多种封装可以实现同类型封装器件替代和标准化设计，满足大功率应用，也可以为设计用户提供既有设计的选型替代，针对改造市场具备推广能力。

其中，TO-247-3L插件封装不仅提供良好的热性能，还具有紧凑的尺寸，有助于减小辅助电源的体积，节省宝贵的安装空间，同时简化散热设计，提高系统的集成度。而采用先进塑封技术的TO-263-7L贴片封装相较于插件封装而言，它在体积上显得更为紧凑，在贴片焊接过程中能提供极大的便利性。两种封装形式都可显著降低阻抗，进而在大电压、大电流的工作环境下，能够有效减少导通损耗，提升整体电路的性能表现。