「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品

技术优势

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品此产品应用合理与优化的虚拟（dummy）栅比例使得芯片在低导通压降的同时，具有更大的反向安全工作区（RBSOA）并保证了8μs的短路时间（900V，Tvj=150°C），满足电机驱动、UPS电源等应用对短路的要求，实现了对国际一线厂商的产品追随。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品通过采用合理的Pitch宽度，保证芯片的Vcesat能达到要求，且不会受到应力损伤与变形的影响，依旧可以保证产品的高良率。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品单芯片最大电流容量达300A，对于一些需要更大电流的应用系统，在IGBT并联数量封装过程中，可以减少并联支路中存在杂散电感和电阻，改善芯片之间的均流状况，提升IGBT器件电流能力、功率密度与应用可靠性。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品

设计与功能

目前IGBT主要是以沟槽栅+场截止技术为主，我司在此技术上不断迭代，开发第七代1200V300A Trench+FS IGBT采用沟槽栅和场截止工艺结合合理的虚假栅（dummy）技术使得Vcesat能达到1.6V，且短路时间能保持在8us以上，保持技术上的先进性，峰值功率、峰值电流和可靠度，都能满足工业和车规中的应用要求。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品 功率调节与控制：IGBT可用于调节和控制电路中的功率流动，通过调整其导通和截止状态，可以实现对电路中功率的精确控制。这在各种电力电子应用中尤为重要，如电机驱动、电源供应和变频调速系统等。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品 电力开关：IGBT作为电力开关使用时，能够控制高功率电路的开关行为。它们在电源开关、交流电源调节器和电动汽车控制器等应用中起到关键作用。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品 稳定性：1200V超大单芯片IGBT额定电流能达300A，从而能够减小在工业、车用功率模块中并联的芯片颗数，能降低因芯片间差异产生的热失控风险。

环保先进性

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品 节能环保：IGBT作为一种高效的功率半导体器件，可以将电能有效地转换为机械能、光能或其他形式的能量，提高了电力系统的能源利用效率。通过降低能源消耗，IGBT有助于减少对能源资源的需求，从而降低了对环境的负面影响。

「产品介绍」芯达茂推出1200V超大电流单芯片沟槽栅场截止IGBT产品 可再生能源集成：IGBT在可再生能源系统中具有重要作用，例如太阳能和风能发电系统。它们可以有效地控制和调节可再生能源的输出，实现稳定的电力供应。通过促进可再生能源的集成和利用，IGBT有助于减少对传统的化石燃料的依赖，从而减少温室气体排放。