采用第七代工艺，芯导科技推出650V/1200V 高性能IGBT产品

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）全称是“绝缘栅双极型晶体管”，在新能源大功率电力电子设备中发挥着关键作用，兼具有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

在相关政策的带动下，我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车 / 动车组、城市轨道交通等领域得到了飞速发展，光伏及风能发电、新能源汽车、储能、数据中心等新的应用也日益成熟，此类应用对IGBT产品具有旺盛的需求，并在产品性能、技术参数、可靠性等方面提出了较高要求。

芯导科技现已推出，采用第7代工艺技术的IGBT产品系列，具有如下优势：

650V/1200V 小电流产品系列采用TO-247/TO-247PLUS单管封装形式，适用工业控制、电动汽车PTC等领域应用：

芯导科技SiC SBD混封IGBT产品系列，具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点，应用于光伏和不间断电源领域。

1200V 100A以上大电流产品系列，主要采用Econodual3/62mm等模块封装形式，适用于储能等领域：

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上海芯导电子科技股份有限公司(Prisemi)专注于高品质、高性能的模拟集成电路和功率器件的开发及销售，总部位于上海市张江科学城。

公司于2009年成立，至今已获国家级专精特新“小巨人”企业、“上海市规划布局内重点集成电路企业”、“高新技术企业”、“上海市科技小巨人企业”、“浦东新区重点研发机构”、“五大大中华创新IC设计公司”、“十大最佳国产芯片厂商”、“上海市三星级诚信创建企业”等荣誉资质，并已拥有百余项知识产权。公司已在上海证券交易所科创板上市，股票简称"芯导科技"，股票代码为688230.SH。

芯导科技专注于功率IC（锂电池充电管理 IC、OVP过压保护 IC、音频功率放大器、GaN 驱动与控制IC、DC/DC电源IC等）以及功率器件（ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等）的开发及应用。公司在深耕国内市场的同时，积极拓展海外市场，目前产品已远销欧美日韩及东南亚等国家与地区，广泛应用于移动终端、网络通信、安防工控、储能、汽车电子、光伏逆变器等领域。