用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM（MGFS52G38MB）
三菱电机集团近日（2024年6月4日）宣布，将于6月11日开始为5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化镓（GaN）功率放大器模块（PAM）的样品。PAM可用于32T32R mMIMO天线*2，以降低5G mMIMO基站的生产成本和功耗，随着5G网络从城市中心向偏远地区的扩展，预计PAM将得到越来越多地部署。三菱电机将于6月18日至20日在美国华盛顿特区举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会（IMS）2024上展出其新型16W GaN PAM。 使用mMIMO基站实现高速、大容量通信的工作主要在城市取得进展。为了进一步降低功耗和制造成本，对具有更高效率和模块化的功率放大器的需求不断增长。PAM在宽频率范围内实现符合3GPP标准的低失真特性*3，从而与不同国家/地区的移动网络广泛兼容。随着未来5G网络从城市中心扩展到偏远地区，要求mMIMO基站提供更广泛的通信范围和更低的成本，使用具备超高性能的功率放大器将帮助实现这种可能。
2023年9月，三菱电机开始提供GaN PAM的样品，该样品在3.4至3.8GHz的宽频率范围内实现8W（39dBm）的平均输出功率，适用于5G基站的64T64R mMIMO天线*4。此次发布的16W（42dBm） GaN PAM在3.3至3.8GHz的宽频率范围内实现了更高的平均输出功率，适用于32T32R mMIMO天线，扩展了5G mMIMO基站的通信范围，并通过减少所需的PAM数量降低了其制造成本。
减少功率放大器模块数量，扩展5G mMIMO基站通信范围 与现有的8W GaN PAM相比，新型16W GaN PAM使32T32R mMIMO天线使用的功率放大器数量减少了一半，同时达到了64T64R mMIMO天线的通信范围，从而降低了5G mMIMO基站的制造成本。 与现有的8W产品相比，16W的GaN PAM将64T64R mMIMO天线的功率提高了一倍，扩展了5G mMIMO基站的通信范围。 500MHz频段40%的高效率，降低了5G mMIMO基站的功耗 具有外延生长层结构的氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）*5，使其在5G环境中实现高效率和低失真特性。 三菱电机独特的宽带Doherty电路*6缓解了GaN HEMT输出寄生电容造成的带宽限制，在500MHz频段实现了40%的功率附加效率，从而降低5G mMIMO基站的功耗。 功率放大器的模块化，降低了5G mMIMO基站的电路设计负担和制造成本 三菱电机独特的高密度封装技术实现了5G基站功率放大器不可或缺的Doherty电路PAM。 新PAM的部署将减少5G mMIMO基站所需的组件数量，从而简化电路设计并降低制造成本。
型号 MGFS52G38MB 频率 3.3-3.8GHz 平均输出功率 16W（42dBm） 饱和输出功率 125W（51dBm）min. 增益 28dB min. 功率附加效率 40% typ. 尺寸 11.5×8.0×1.4mm 样品开始提供日期 2024年6月11日
本产品符合RoHS*7指令2011/65/EU和（EU）2015/863。
有关高频器件的更多信息，请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/hf/
*1：在发射器和接收器中使用多个天线的无线通信技术，以提高通信速度和质量 *2：由32个发射器和接收器组成的Massive MIMO天线 *3：5G带内和带外失真特性由第三代合作伙伴计划（3GPP）监管 *4：由64个发射器和接收器组成的Massive MIMO天线 *5：在结晶衬底上生长结晶薄膜形成的薄膜晶体生长层 *6：W.H. Doherty于1936年提出的功率放大器的高效电路技术 *7：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment
三菱电机创立于1921年，是全球知名的综合性企业。截止2023年3月31日的财年，集团营收50036亿日元（约合美元373亿）。作为一家技术主导型企业，三菱电机拥有多项专利技术，并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场，三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。
原文始发于微信公众号（三菱电机半导体）：【新品】三菱电机开始提供5G Massive MIMO基站用16W GaN功率放大器模块样品
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