据日本媒体消息，三井化学将大规模生产用于半导体制造的下一代曝光设备的碳纳米管（CNT）薄膜。生产设备将设在岩国大竹工厂（山口县和木町），预计于2025年12月竣工。产能为每年5000件，投资金额尚未透露。满足对尖端半导体不断增长的需求。
薄膜是附着在光掩模（半导体电路的原版）表面的薄保护膜。具有抗划伤和防尘的能力，可以提高曝光过程中的生产率。随着人工智能（AI）和其他技术的使用预计将加速，负责数据处理的半导体需要具有更高的处理速度和更低的功耗。因此，对超细电路线宽的需求日益增长，并且用于形成小型化电路的极紫外（EUV）曝光技术的采用正在迅速扩大。三井化学将通过商业化具有高透明度和耐光性、可用于 EUV 曝光环境的 CNT 薄膜来满足这些需求。
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