旭化成于2024年6月12日宣布，美国纽约子公司Crystal IS制造的4英寸（直径100毫米）氮化铝（AlN）单晶衬底的表面积超过99%，现在已投入使用，该公司宣布将从 2024 年下半年开始向日本和海外的半导体器件制造商提供衬底样品。
过去制造的可用面积为 90% 的 AlN 基板（左）和这次成功制造的可用面积为 99.3% 的基板（右） [点击放大] 图片来源：旭化成
AlN具有非常宽的禁带宽度，比碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）具有更低的功率损耗，并且具有耐高电压的潜力，使其具有高能效，适合下一代功率器件。预计该技术未来将得到应用，并扩展到RF（高频）应用。通过提供样品，旭化成和Crystal IS将与外部合作伙伴加速AlN半导体的研发，并推进商业化。
美国纽约Crystal IS生产的AlN衬底具有缺陷密度低、紫外透过率高、杂质浓度低等特点。利用其特性，可以将其用于主要用于杀菌目的的UV-C（深紫外）LED。
制造AlN衬底需要精确控制升华炉内的温度，其温度可能达到2000°C以上，这在扩大衬底尺寸（增加直径）时一直是一个难题。自1997年成立以来，Crystal IS不断积累该领域的技术，并实现了多次规模化。 2023年8月，他们成为全球第一家成功开发出4英寸AlN衬底的公司，其面积是传统衬底的四倍。该产品于2023年发布时，可用面积已超过80%，经过反复改进，现在已经实现了可用面积超过99%的AlN衬底。
关于 Crystal IS
Crystal IS 是旭化成旗下的子公司，是氮化铝 (AlN) 衬底和 UVC LED 领域的领导者。Crystal IS 的 AlN 基 UVC LED 在 260–270 nm 的理想杀菌范围内性能更佳，可实现可持续、无汞水、空气和表面消毒，确保全世界的健康生活。该公司于 1997 年在纽约州特洛伊的伦斯勒理工学院 (RPI) 成立，后来于 2011 年被总部位于日本东京的全球材料和化学公司旭化成收购。2023 年，Crystal IS 报告了世界上第一个直径为 100 毫米的单晶 AIN 基板，并正在探索该材料的新市场应用。
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