新能源汽车渗透率即将达50%，加上风光电领域对功率模块的需求越来越多，功率模块备受关注。2024年7月5日，艾邦第三届功率半导体IGBT/SiC产业论坛在苏州召开。会议汇聚行业精英共谋发展之策，从新能源汽车电驱与电控行业、光储及逆变器行业、化合物半导体材料行业、功率半导体行业、封装与测试行业等不同产业链环节出发，探寻不同突破路径，促进产业的创新与可持续发展。
主题报告
作为国内率先实现高精度数字源表（SMU）产业化的半导体测试装备优质供应商，普赛斯仪表副总经理王承博士受邀出席并发表《SiC功率半导体模块测试挑战及应对》主题演讲。
随着半导体技术的持续进步，制程工艺的不断提升，对半导体器件的测试和验证工作日趋关键。
随着行业发展，厂家对于测试的需求由原先的CP+FT模式扩展至CP+KGD test +DBC test+FT，甚至包括SLT测试等。
如何精确测量功率器件在高流/高压条件下的I-V曲线或其他静态特性，变得尤为重要。
会上，普赛斯仪表副总经理王承博士阐述了如何准确可靠地实现SiC功率器件的测试方案，以新能源领域车规级功率器件参数测试为切入点，分享了在新能源领域功率器件成套解决方案等方面的关键举措。本场演讲重点介绍了普赛斯仪表实验室、高低温、产线半自动/全自动等功率半导体静态参数测试解决方案，广泛适用于从实验室到小批量、大批量产线的全方位应用，帮助国产功率半导体厂商加快研发测试以及批量化生产进程。
产品介绍
普赛斯功率器件静态参数测试系统，是武汉普赛斯经过精心设计与打造的高精密电压/电流测试分析系统。该系统不仅提供IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还具备高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。其设计初衷在于全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求，确保测量效率、一致性与可靠性的卓越表现。
大电流输出响应快，无过冲
自主研发的高效能脉冲式大电流源及高压源，其输出建立过程响应迅速，且无过冲现象。在测试环节，大电流的典型上升时间仅为15μs，脉冲宽度可在50~500μs之间灵活调整。采用此种脉冲大电流测试方法，能够显著降低因器件自身发热所引发的误差，确保测试结果的精确性与可靠性。
高压测试支持恒压限流，恒流限压模式
自主研发的高性能高压源，其输出建立与断开反应迅速，且无过冲现象。在进行击穿电压测试时，可灵活设定电流限制或电压限值，以确保设备不因过压或过流而受损，有效保护器件的安全性和稳定性。
普赛斯仪表作为半导体电性能测试领域的权威解决方案供应商，始终秉持创新技术与匠心精神的融合，深耕于功率半导体市场。
原文始发于微信公众号（普赛斯仪表）：普赛斯仪表受邀出席第三届功率半导体IGBT/SiC产业论坛并做主题演讲
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