公示信息显示,本项目为在现有厂区内进行改扩建,主要从事碳化硅晶片的生产。上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设,并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。
随着碳化硅功率半导体在电动汽车、光伏、储能、5G 等领域的广泛应用,当前以 SiC 为代表的宽禁带半导体正在随着在终端领域的持续渗透而从导入期过渡到快速发展期。基于碳化硅半导体广阔的应用前景,国际领先的衬底厂商已经开始向 8 英寸碳化硅衬底产能建设布局,国际一线芯片制造厂商也纷纷计划扩大 8 英寸碳化硅晶圆制造,以争夺产业高地。
行业内领先公司 Wolfspeed 数据显示,从 6 英寸升级到 8 英寸,衬底的制备 成本虽然有所增加,但从下游晶圆制造端看,合格芯片产量可以增加 80%-90%;同时 8 英寸衬底厚度增加有助于在加工时保持几何形状、减少边缘翘曲度,降低 缺陷密度,从而提升良率,采用 8 英寸衬底可以将单位综合成本降低 50%,进一 步加快碳化硅功率器件在下游领域的渗透应用。
原文始发于微信公众号(艾邦半导体网):天岳先进拟募集3亿元投资8英寸碳化硅衬底项目
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