晶合集成在CMOS图像传感器（以下简称CIS）产品上持续加速推进。近期，晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS，为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅CIS进入发展新阶段。
（产品图）
为满足8K高清化的产业要求，高性能CIS的需求与日俱增。晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。
（拍摄样图）
首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。同时，该产品具备1.8亿超高像素 8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力，打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位，为本土产业发展贡献力量。
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原文始发于微信公众号（晶合集成）：业内首颗！晶合集成1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产
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