Navitas 获得汽车用 Fast SiC 认证

Navitas Semiconductor 已认证其采用 D2PAK-7L（TO-263-7）和 TOLL（TO-Leadless）表面贴装 (SMT) 封装的第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 适用于汽车设计。

GeneSiC开发的专有沟槽辅助平面技术可使外壳温度比传统设备低 25°C，使用寿命比其他 SiC 产品长 3 倍，适用于高压力 EV 环境。

符合 AECQ101 标准的 SiC MOSFET 可在交流压缩机、座舱加热器、DC-DC 转换器和车载充电器 (OBC) 等电动汽车应用中提供更高的功率密度。Navitas 的专用电动汽车设计中心已展示出最前沿的 OBC 系统解决方案，功率高达 22 kW，功率密度为 3.5 kW/升，效率超过 95.5%。

400 V 额定 EV 电池架构采用新型 650 V Gen-3 快速 MOSFET，其 RDS(ON) 额定值为 20 至 55 mΩ。1,200 V 范围为 18 至 135 mΩ，并针对 800 V 系统进行了优化。

650 V 和 1,200 V 范围均符合 AEC Q101 标准，采用传统的 SMT D2PAK-7L (TO-263-7) 封装。对于 400 V 电动​​汽车，650 V 额定表面贴装 TOLL 封装可使结到外壳热阻 (RTH,JC) 降低 9%，PCB 占用空间缩小 30%，高度降低 50%，尺寸缩小 60%，这比 D2PAK-7L 更佳。这可实现非常高功率密度的解决方案，而仅为 2 nH 的最小封装电感可确保出色的快速开关性能和最低的动态封装损耗。

采用 D2PAK-7L 和 TOLL 表面贴装封装的汽车级 650 V 和 1200 V G3F SiC MOSFET 系列现已发布并可立即供货。