日新电机株式会社的子公司日新离子机械株式会社（Nissin Ion Equipment Co., Ltd.），将参与美国阿肯色大学的SiC功率器件研究与制造设施“MUSiC”所开展的SiC功率器件的共同研究计划。
SiC功率器件具有优越的特性，如高效性、耐压性和耐热性，广泛应用于太阳能发电、电动车（xEV）以及一般电子设备等多个领域。MUSiC是阿肯色大学基于其数十年SiC研究经验所设立的，具备SiC功率器件制造功能和设备的设施。该设施是美国首个开放访问的研究中心，旨在为开发创新的功率半导体新技术和集成电路提供平台。外部研究人员和企业可以在此进行试制和演示，设计新设备。同时，MUSiC还计划培养学生，培养下一代半导体行业的领导者，且已有多家美国顶级SiC功率器件制造商以及许多无晶圆厂的中小企业表示将参与或正在考虑参与该计划。
日新离子机械株式会社生产了唯一一款能够批量生产SiC功率半导体的高温离子注入设备“IMPHEAT-Ⅱ”。该公司将向MUSiC提供该设备，并在未来三年（自2025年开始）开展针对SiC功率器件制造的离子注入工艺配方的共同研究。通过这一合作，日新离子机械株式会社将积累关于先进器件所需离子注入技术的知识，并将其应用于下一代设备中，进一步提高功率半导体的性能，从而减少能耗，推动设备节能，以清洁且低成本的能源促进可持续社会的实现。
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