派恩杰半导体完成数亿元融资

派恩杰半导体成立于2018年9月，是中国第三代半导体功率器件的领先品牌，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品。公司拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，并且均通过AEC-Q101车规级测试认证。可以满足客户的各种应用场景，为客户提供稳定可靠的车规级碳化硅功率器件产品。

创投集团投资五部总经理胡勇表示：相比传统硅材料，碳化硅材料有着更高的禁带宽度、击穿场强、饱和电子速率和热导率，意味着碳化硅更适合在高压、高频、高能领域应用。行业预测到2026年，全球碳化硅器件市场空间将达到70亿美元，现阶段碳化硅上游衬底和外延扩产、降本趋势确定，下游新能源、光伏、工控应用场景逐步渗透，尤其是未来两年碳化硅在新能源车主驱领域高渗透趋势，中游碳化硅器件价值将进一步提升。在对比国内多家碳化硅器件企业后发现，派恩杰团队掌握国内最小的元胞尺寸和最低的比导通电阻设计技巧，掌握国内最短的碳化硅MOS晶圆制造工艺流程，且具有自主工艺IP，短流程低成本促使自身产品更具性价比。2023年，企业和国际顶级碳化硅晶圆代工厂Xfab签订6年长期保供协议，供应链优势明显。碳化硅MOS产品已经批量导入车、充、光、储领域头部客户，头部客户效应明显。